时间：2025/8/14 7:37:59
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BAS100AS-AU是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）设计和生产的高频小信号双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件专为高频放大、开关和低噪声应用设计，适用于射频（RF）和中频（IF）电路中的信号处理。BAS100AS-AU采用先进的制造工艺，具有优良的高频响应和低噪声系数，适用于需要高线性度和高稳定性的电路设计。该晶体管采用SOT-23封装，便于在PCB上安装并节省空间。
类型：NPN型晶体管
封装类型：SOT-23
最大集电极电流：100mA
最大集电极-发射极电压：30V
最大基极-发射极电压：5V
最大耗散功率：300mW
过渡频率（fT）：250MHz
电流增益带宽（fT）：250MHz
噪声系数：1.5dB（典型值，100MHz）
工作温度范围：-55°C至+150°C
BAS100AS-AU具备多项出色的电气和物理特性，使其在高频电子电路中表现优异。首先，其过渡频率（fT）高达250MHz，使其适用于高频放大器和射频信号处理应用。其次，该晶体管的噪声系数低至1.5dB（典型值），这使其成为低噪声放大器（LNA）的理想选择，特别是在无线通信系统中。此外，BAS100AS-AU的电流增益较高，且具有良好的线性度，有助于提高信号传输的保真度。
该晶体管的SOT-23封装不仅体积小巧，而且具有良好的热稳定性和机械强度，适用于高密度PCB布局。其工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，确保其在各种环境条件下都能稳定运行。BAS100AS-AU还具有较低的寄生电容和高输入阻抗，有助于减少信号失真和提高电路效率。
此外，BAS100AS-AU的制造工艺采用高纯度材料和先进封装技术，确保器件在高频工作下的稳定性和可靠性。它广泛应用于通信设备、射频接收器、中频放大器、低噪声放大器以及各种需要高性能晶体管的模拟和射频电路中。
BAS100AS-AU主要应用于射频（RF）和中频（IF）信号放大、低噪声放大器（LNA）设计、高速开关电路、高频振荡器以及无线通信系统中的信号处理模块。其低噪声系数和高频率响应使其特别适合用于无线基站、卫星通信、微波通信、测试设备和测量仪器等高端电子设备中。此外，该晶体管还可用于音频放大器的前置级、传感器信号调理电路以及各种需要高线性度和低噪声特性的模拟电路设计。
BFQ68, BFG21, BFR106
