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BAR64V-02V-GS08 发布时间 时间:2025/5/29 18:56:32 查看 阅读:8

BAR64V-02V-GS08是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频、高效率应用场景设计。它采用了先进的GaN-on-Si工艺制造,具有极低的导通电阻和快速开关特性,适合于电源转换、DC-DC转换器、无线充电以及激光雷达等应用领域。
  该器件在结构上优化了热性能和电气性能,能够显著提高系统的功率密度并降低能量损耗。

参数

额定电压:650V
  连续漏极电流:2A
  导通电阻:130mΩ(典型值)
  栅极电荷:25nC(最大值)
  反向恢复时间:无(因GaN无反向恢复电荷)
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

BAR64V-02V-GS08具备以下主要特性:
  1. 高频开关能力,支持MHz级别的开关频率。
  2. 极低的导通电阻和栅极电荷,有效减少传导损耗和开关损耗。
  3. 无反向恢复电荷,进一步提升系统效率。
  4. 良好的热性能,有助于简化散热设计。
  5. 具备增强型(E-Mode)操作模式,无需复杂的栅极驱动电路。
  6. 小尺寸封装,便于高密度PCB布局。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 无线充电发射端
  4. 激光雷达(LiDAR)驱动
  5. 电机驱动与控制
  6. 快速充电适配器
  7. 工业电源和通信电源

替代型号

BAR64V-02V-GS10
  BAR650V-02A-GS08

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BAR64V-02V-GS08参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类PIN 二极管
  • 配置Single
  • 反向电压100 V
  • 正向连续电流100 mA
  • 频率范围SHF
  • 封装 / 箱体SOD-523
  • 封装Reel
  • 载流子寿命1.8 us
  • 正向电压下降1.1 V at 50 mA
  • 最大二极管电容0.35 pF at 20 V
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 最大串联电阻(中频最大时)1.35 Ohms at 100 mA
  • 最大串联电阻(中频最小时)2 Ohms at 1 mA
  • 最小工作温度- 55 C
  • 安装风格SMD/SMT