时间：2025/5/29 18:56:32
阅读：21
BAR64V-02V-GS08是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率应用场景设计。它采用了先进的GaN-on-Si工艺制造，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适合于电源转换、DC-DC转换器、无线充电以及激光雷达等应用领域。
该器件在结构上优化了热性能和电气性能，能够显著提高系统的功率密度并降低能量损耗。
额定电压：650V
连续漏极电流：2A
导通电阻：130mΩ（典型值）
栅极电荷：25nC（最大值）
反向恢复时间：无（因GaN无反向恢复电荷）
工作结温范围：-55℃至+150℃
BAR64V-02V-GS08具备以下主要特性：
1. 高频开关能力，支持MHz级别的开关频率。
2. 极低的导通电阻和栅极电荷，有效减少传导损耗和开关损耗。
3. 无反向恢复电荷，进一步提升系统效率。
4. 良好的热性能，有助于简化散热设计。
5. 具备增强型（E-Mode）操作模式，无需复杂的栅极驱动电路。
6. 小尺寸封装，便于高密度PCB布局。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 无线充电发射端
4. 激光雷达（LiDAR）驱动
5. 电机驱动与控制
6. 快速充电适配器
7. 工业电源和通信电源
BAR64V-02V-GS10
BAR650V-02A-GS08
