类型：硅二极管
　　最大正向电流：200 mA
　　峰值反向电压：100 V
　　正向压降：1.25 V（最大值）
　　反向漏电流：100 nA（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-123（DB1）
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大功率耗散：300 mW

BAR43A DB1具有多项显著的电气和物理特性，使其在多种应用中表现出色。首先，它的低正向压降（最大1.25 V）可以有效降低电路中的能量损耗，提高整体效率。其次，该二极管具备快速恢复时间（通常在50 ns以下），适用于高频开关应用，如射频整流器和高速逻辑电路中的保护元件。
　　该器件采用SOD-123（DB1）封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并具备良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行。此外，BAR43A DB1的峰值反向电压可达100 V，具备较强的电压耐受能力，适用于中高压整流和保护电路。
　　在可靠性方面，BAR43A DB1经过严格的测试，具备良好的抗静电能力和长期稳定性，可在恶劣环境下保持稳定性能。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车电子应用。

BAR43A DB1广泛应用于多个电子领域，主要包括：射频和通信设备中的整流和检波电路；高速逻辑电路中的隔离和保护；电源管理电路中的整流和极性保护；汽车电子系统中的DC-DC转换器和电池管理系统；以及消费类电子产品中的开关电源和充电电路。
　　此外，由于其快速恢复特性和紧凑封装，BAR43A DB1也常用于信号检测、电压钳位和瞬态电压抑制（TVS）电路中。在物联网（IoT）设备和无线传感器网络中，它也作为高频整流器使用，以提高能量收集效率。

BAR43AP-7-F
　　BAR43-02V
　　1N4148W-7-F