时间：2025/5/8 17:37:23
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BA4580RF-E2 是一款双极性晶体管 (BJT)，广泛用于射频 (RF) 和高频应用。该器件专为高频放大器、混频器和开关电路设计，具有优异的频率特性和低噪声性能。其封装形式通常为小型表面贴装器件 (SMD)，适合高密度电路板布局。
该晶体管采用了先进的半导体制造工艺，确保在高频环境下具备高增益和稳定性。此外，它还具有较低的饱和电压，能够有效提升整体效率。
集电极-发射极电压：30V
集电极电流：200mA
功率增益带宽积 (fT)：1.8GHz
最大耗散功率：360mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：SOT-363
BA4580RF-E2 的主要特点是其卓越的射频性能。该器件能够在高达 1.8 GHz 的频率范围内提供稳定的增益，非常适合无线通信设备中的中频和射频级应用。
此外，它的低噪声系数使其成为接收机前端的理想选择。由于其采用 SOT-363 小型封装，因此非常适用于对空间有严格要求的设计场景。
该晶体管还具有良好的线性度和抗干扰能力，在复杂的电磁环境中仍能保持稳定运行。同时，其高可靠性和长寿命进一步提升了产品的耐用性。
BA4580RF-E2 广泛应用于各种高频和射频领域，包括但不限于：
- 无线通信系统中的放大器和混频器
- 蓝牙模块及 Wi-Fi 模块中的信号处理
- 高速数据传输设备中的开关电路
- 射频识别 (RFID) 系统中的读卡器模块
- 医疗电子设备中的信号调理电路
- 工业控制中的高频信号检测与处理
BA4580W-E2
2SC4580RF
