时间:2025/12/25 13:23:10
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BA2115F-E2是一款由Rohm(罗姆)半导体公司生产的低压差线性稳压器(LDO Regulator)。该器件专为需要高精度、低功耗和小型封装的应用而设计,广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制等领域。BA2115F-E2能够在输入电压与输出电压差较小的情况下稳定工作,提供稳定的输出电压,同时具备良好的负载调整率和线路调整率。该LDO采用P沟道MOSFET作为传输元件,使得其在低输入电压条件下依然能够实现较低的压降,从而提高系统效率并延长电池寿命。此外,BA2115F-E2内置了多种保护功能,如过流保护、过热关断和反向电流防止电路,确保在异常工作条件下仍能安全运行。该芯片通常用于为微控制器、传感器、无线模块和其他对电源噪声敏感的模拟或数字电路供电。其封装形式为SOP-5(Small Outline Package),具有良好的散热性能和紧凑的占位面积,适合高密度PCB布局需求。
型号:BA2115F-E2
类型:低压差线性稳压器(LDO)
输出电压:固定输出(具体值根据后缀不同可选,例如3.3V、2.8V等)
输出电流:最大300mA
输入电压范围:2.0V ~ 6.0V
压差电压:典型值110mV(在300mA负载下)
静态电流:典型值70μA
待机电流:小于1μA
输出电压精度:±2%
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装形式:SOP-5
保护功能:过流保护、过热关断、反向电流防止
BA2115F-E2的核心优势在于其出色的低功耗表现和高稳定性。该LDO在轻载条件下的静态电流仅为70μA,显著降低了待机模式下的能耗,非常适合电池供电设备长时间运行的需求。其输入电压范围宽达2.0V至6.0V,兼容多种电源系统,包括单节锂离子电池、两节碱性电池或其他直流电源模块。由于采用了P沟道MOSFET结构,BA2115F-E2在接近最低输入电压时仍能维持较低的压降,有效提升了能源利用率。
该器件具备优异的瞬态响应能力,在负载电流快速变化时仍能保持输出电压的稳定,避免因电压波动导致下游电路误动作或性能下降。同时,其输出电压精度高达±2%,确保了供电系统的可靠性与一致性,适用于对电源质量要求较高的精密电子系统。内部集成的过热保护机制会在芯片温度超过安全阈值时自动关闭输出,防止损坏;过流保护则限制最大输出电流,避免短路或过载造成永久性故障。此外,反向电流防止功能可阻止电流从输出端倒灌回输入端,增强了系统的安全性。
BA2115F-E2无需外接肖特基二极管即可实现反向电流抑制,简化了外围电路设计,减少了元件数量和PCB空间占用。其SOP-5封装不仅体积小巧,还具备良好的热传导性能,有助于热量散发,提升长期工作的可靠性。整个设计无需额外的补偿电容,仅需一个小型陶瓷电容即可实现稳定工作,进一步优化了成本与布局复杂度。这些特性使其成为智能家居设备、可穿戴产品、物联网节点、便携式医疗仪器以及各类嵌入式系统的理想电源管理解决方案。
BA2115F-E2广泛应用于各类低功耗、高可靠性的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品如智能手环、蓝牙耳机、电子书阅读器等,这些设备依赖电池供电且对电源效率和空间布局有严格要求。在工业自动化领域,它可用于为PLC模块、传感器信号调理电路和远程监控终端提供干净稳定的电源。此外,该LDO也常见于通信模块中,例如Wi-Fi、Zigbee或LoRa无线收发器,为其敏感的射频和基带电路提供噪声隔离良好的供电环境。在汽车电子中,虽然其工作温度上限为+85°C,但在非高温区域的车载信息娱乐系统、车内照明控制或辅助传感器模块中仍有适用空间。由于其出色的负载调整能力和抗干扰特性,BA2115F-E2也被用于音频设备中的前置放大器供电、ADC/DAC参考电压源以及其他对纹波敏感的模拟前端电路。总之,任何需要将较高电压转换为稳定低压并兼顾效率与尺寸的应用,都是BA2115F-E2的理想使用场景。
XC6206P332MR-G
ME6211C33M5G-N
RT9193-33GB
MIC5205-3.3YM5-TR
LP2985-33SC5/NOPB