BA00AST 时间：2025/12/25 10:34:15 阅读：26

BA00AST是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的N沟道场效应晶体管（MOSFET），主要用于高效率的开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等应用。该器件采用小型SOT-23表面贴装封装，具有低导通电阻、快速开关响应和良好的热稳定性等特点，非常适合在空间受限的便携式电子设备中使用。BA00AST的工作温度范围较宽，通常支持从-55°C到+150°C的结温操作，使其能够在恶劣环境条件下稳定运行。作为一款通用型MOSFET，它在消费类电子产品、工业控制电路及通信设备中均有广泛应用。
　　该型号的主要优势在于其小尺寸封装与高性能之间的良好平衡。SOT-23封装不仅节省PCB布局空间，还具备良好的散热性能，有助于提升系统整体可靠性。此外，BA00AST采用了先进的沟槽型MOSFET制造工艺，进一步优化了导通损耗和开关损耗，从而提高了电源转换效率。由于其引脚兼容性较强，可以方便地替代其他同类产品，适用于多种低压功率开关场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：50V
　　连续漏极电流（ID）：100mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：400mA
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on)：6.5Ω（最大值，VGS=10V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：25pF
　　输出电容（Coss）：15pF
　　反向传输电容（Crss）：5pF
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

BA00AST具备优异的电气性能和热稳定性，适合用于高频开关应用。其低导通电阻RDS(on)可有效降低导通状态下的功率损耗，提高系统能效，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。器件的阈值电压较低，在1.0V至2.5V之间，这意味着它可以被低电压逻辑信号直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。同时，该MOSFET具有较快的开关速度，得益于较小的输入和输出电容，使得其在高频PWM控制下仍能保持较低的开关损耗。
　　该器件采用沟道增强型结构，确保在栅极无驱动信号时处于关断状态，增强了系统的安全性和可控性。SOT-23封装提供了良好的机械强度和焊接可靠性，适用于自动化贴片生产线，提升了制造效率。此外，BA00AST符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对绿色环保的要求。其高耐压能力（50V VDS）使其可在多种中低压应用场景中可靠工作，例如LED驱动、电机控制或电源管理模块中的负载切换。
　　由于其稳定的参数特性和广泛的温度适应能力，BA00AST能够在各种环境条件下保持一致的性能表现，避免因温度波动导致的性能下降或失效问题。这种稳定性对于工业级和汽车电子应用尤为重要。综上所述，BA00AST是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，适用于多种中小型功率开关需求。