B9941 时间：2025/12/27 11:59:13 阅读：25

B9941是Infineon Technologies（英飞凌）公司生产的一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及其他需要高效能功率管理的电子系统中。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性等特点。B9941的工作电压范围适合中等功率应用，能够在较高的结温下稳定运行，因此在工业控制、消费电子和汽车电子等领域均有广泛应用。其封装形式为PG-HSOF-8-1（也称为SuperSO8或PowerSO8），是一种小型化的表面贴装封装，便于在紧凑型PCB设计中使用，并支持高效的散热管理。
　　B9941通常与B9940（P沟道）配对使用，构成同步整流或半桥驱动电路，以提升整体效率。由于其优化的栅极电荷和较低的输入/输出电容，B9941在高频开关应用中表现出色，有助于降低开关损耗并提高系统能效。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗雪崩能力和可靠性，适用于要求严苛的工作环境。

参数

型号：B9941
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大连续漏极电流（ID）：17 A（@25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：65 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on)：4.5 mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：5.7 mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0 V ~ 2.0 V
　　栅极电荷（Qg）：11 nC（@VGS=10V）
　　输入电容（Ciss）：500 pF（@VDS=15V）
　　反向恢复时间（trr）：未内置续流二极管或快速恢复特性
　　功率耗散（PD）：50 W（带散热焊盘）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：PG-HSOF-8-1（PowerSO8）

特性

B9941采用英飞凌先进的沟槽式场效应晶体管技术，这种结构显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。其典型的RDS(on)值在VGS=10V时仅为4.5mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，这使得它特别适合用于大电流、低电压的应用场景，如同步整流、负载开关和电池供电设备中的电源管理模块。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg=11nC），这意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，能够有效降低开关损耗，尤其适用于高频工作的DC-DC变换器和开关电源拓扑结构。同时，其输入电容Ciss约为500pF，在保证快速响应的同时不会对驱动电路造成过重负担，有利于简化栅极驱动设计。
　　B9941的阈值电压范围为1.0V至2.0V，使其能够在逻辑电平信号（如3.3V或5V）直接驱动下可靠开启，无需额外的电平转换电路，提高了系统的集成度和设计灵活性。此外，器件具备良好的热稳定性，通过底部散热焊盘可实现有效的热量传导至PCB，增强长期运行的可靠性。
　　PowerSO8封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备优异的电气隔离和机械稳定性。该封装支持自动贴片工艺，适合大规模自动化生产。B9941还具备较强的抗静电能力（ESD保护）和一定的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，延长系统寿命。这些综合特性使B9941成为高性能电源管理应用的理想选择。

应用

B9941常被用于各类中等功率电源管理系统中，尤其是在需要高效能和小尺寸解决方案的设计中表现突出。典型应用包括同步整流型降压（Buck）转换器，其中B9941作为低边开关与高边P沟道MOSFET（如B9940）配合使用，构成高效的半桥架构，广泛应用于笔记本电脑、平板电源管理单元以及嵌入式处理器核心供电系统。
　　在DC-DC转换器模块中，B9941凭借其低RDS(on)和快速开关特性，能够显著降低导通损耗和开关损耗，提高转换效率，尤其适合多相供电设计中的并联使用。此外，它也被用于电机驱动电路中，作为H桥或半桥拓扑中的开关元件，控制直流电机或步进电机的正反转及调速功能。
　　在电池供电设备中，例如移动电源、便携式医疗设备和电动工具，B9941可用于电池充放电管理、负载开关控制和过流保护电路，确保系统在高负载条件下的稳定运行。其小型化封装非常适合空间受限的应用场景。
　　在工业控制系统中，B9941可用于继电器替代、固态开关、LED驱动电源和热插拔控制器等场合。由于其良好的热性能和可靠性，也可用于汽车电子系统中的辅助电源模块，满足AEC-Q101等车规级认证要求（具体需查证产品等级）。总之，B9941适用于所有需要低导通电阻、高效率、高频开关和紧凑布局的功率切换应用。