时间:2025/12/27 11:57:55
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B9939是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于高效率电源转换和电机控制等场景。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点,适合在紧凑型电子设备中实现高效的功率管理。B9939特别适用于需要承受较高电压和电流的应用场合,其坚固的封装设计也提升了在恶劣环境下的可靠性。该器件常用于DC-DC转换器、电源管理系统、电池供电设备以及工业控制电路中,能够有效降低系统功耗并提升整体能效。此外,B9939具备优良的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过压条件下保持稳定运行,从而增强了系统的安全性和鲁棒性。由于其出色的电气性能和可靠的封装结构,B9939成为许多中高端电子产品中不可或缺的关键元器件之一。
型号:B9939
类型:N沟道MOSFET
漏源电压Vds:600 V
栅源电压Vgs:±30 V
连续漏极电流Id:7 A @ TC = 25°C
脉冲漏极电流Idm:28 A
导通电阻Rds(on):1.2 Ω @ Vgs = 10 V
导通电阻Rds(on):1.5 Ω @ Vgs = 4.5 V
栅极电荷Qg:60 nC @ Vgs = 10 V
输入电容Ciss:1100 pF @ Vds = 25 V
反向恢复时间trr:120 ns
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220FP
B9939具备优异的电气特性和热性能,使其在多种高要求应用中表现出色。首先,其高达600V的漏源击穿电压使其适用于高压开关电源和工业级电力控制系统,能够在电网波动或瞬态过压情况下维持正常工作。
其次,该器件的低导通电阻显著降低了导通损耗,尤其在大电流负载下可有效减少发热,提高系统整体效率。结合较低的栅极电荷(Qg),B9939实现了快速的开关响应,适用于高频开关应用如开关模式电源(SMPS)、PFC电路等,有助于减小外围滤波元件体积,提升功率密度。
此外,B9939采用了优化的硅片设计,具备较强的抗雪崩能力和耐用性,可以在非钳位感性负载切换过程中吸收较高的能量而不损坏,这对于电机驱动和继电器控制等存在反电动势的场景尤为重要。
该器件还具有良好的热传导性能,TO-220FP封装不仅机械强度高,而且便于安装散热片,有效将芯片产生的热量传导至外部环境,确保长时间运行时的温度可控。同时,其宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +150°C)使其能够在极端环境条件下稳定工作,适用于工业自动化、户外设备及汽车电子等领域。
最后,B9939符合RoHS环保标准,无铅且绿色环保,满足现代电子产品对环境友好材料的要求。综合来看,B9939凭借其高性能、高可靠性和成熟的工艺,在功率MOSFET市场中占据重要地位。
B9939广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源(SMPS),特别是在AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关管使用,利用其高耐压和低导通电阻特性来提升转换效率并降低温升。
在电机控制领域,B9939可用于直流电机、步进电机或小型交流电机的驱动电路中,承担PWM调速或方向控制功能,其快速开关能力和抗反电动势特性保障了电机启停过程中的稳定性。
此外,该器件也常见于照明电源系统,例如LED驱动电源中,用于构建降压或反激式拓扑结构,实现恒流输出与高能效运行。
在工业自动化设备中,B9939可用于PLC输出模块、固态继电器(SSR)或电磁阀驱动电路,提供可靠的负载切换能力。
由于其具备良好的雪崩耐量,B9939还可用于存在感性负载突变的场合,如电源逆变器、UPS不间断电源系统和太阳能逆变器等,能够在负载突卸或短路故障时提供更强的保护能力。
同时,得益于其紧凑的TO-220FP封装和良好的散热性能,B9939也适用于空间受限但功率需求较高的便携式工业设备或嵌入式控制系统中,是实现小型化与高性能兼顾的理想选择之一。
STW9939, FQA7N60, IRFBG40