B9838 时间：2025/12/27 11:38:00 阅读：13

B9838是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等高效率功率转换场景。该器件采用先进的沟槽栅极工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和良好的热稳定性等特点，适合在中等功率范围内实现高效能的电子开关功能。B9838的设计注重节能与小型化，适用于对空间和功耗敏感的应用场合。其封装形式通常为SOP-8或类似的小型表面贴装封装，便于在紧凑型PCB设计中使用，并具备良好的散热性能。
　　作为一款高性能MOSFET，B9838能够在较高的漏源电压下工作，同时保持较低的栅极电荷和传导损耗，有助于提升系统整体效率。该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，在现代绿色电子产品中具有良好的兼容性。此外，B9838内置体二极管，可在感性负载关断时提供反向电流路径，增强电路可靠性。由于其优异的电气特性和稳定的批量供应能力，B9838被广泛用于消费类电子、工业控制模块、电池供电设备及LED驱动电源等领域。

参数

型号：B9838
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　封装/外壳：SOP-8
　　通道数：1
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：14A
　　最大脉冲漏极电流（ID_pulse）：56A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V：7.3mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：10.5mΩ
　　栅极电荷（Qg）typ：25nC
　　输入电容（Ciss）typ：1070pF
　　开启延迟时间（td(on)）：12ns
　　关断延迟时间（td(off)）：28ns
　　反向恢复时间（trr）：26ns
　　功率耗散（Pd）：2.3W

特性

B9838采用先进的沟道设计和沟槽型栅极结构，显著降低了导通状态下的电阻值，从而减少功率损耗并提高能效。其典型RDS(on)在VGS=10V时仅为7.3mΩ，在大电流应用中可有效降低发热，提升系统的热稳定性。该低导通电阻特性尤其适用于电池供电系统中的电源开关，能够延长续航时间。同时，由于其RDS(on)在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下仍保持在10.5mΩ以内，因此兼容3.3V或5V逻辑电平驱动，无需额外升压电路即可直接由微控制器IO口控制，简化了驱动设计。
　　该器件具有优异的开关性能，其输入电容仅为1070pF，配合25nC的栅极电荷，使得在高频开关应用中所需的驱动能量较小，有利于提升开关频率并减小外围滤波元件体积。开启和关断延迟时间分别仅为12ns和28ns，响应速度快，适用于高频率PWM调光、同步整流和DC-DC变换器等对动态响应要求较高的场景。此外，B9838具备良好的抗雪崩能力和过温保护特性，增强了在异常工况下的鲁棒性。集成的体二极管具有较短的反向恢复时间（26ns），可有效抑制感性负载切换时产生的电压尖峰，减少电磁干扰（EMI），提升系统安全性。
　　在封装方面，SOP-8不仅节省空间，还通过裸露焊盘实现高效的热传导，允许器件在不使用额外散热片的情况下处理较高功率。这种封装也便于自动化贴片生产，提升了制造效率。综合来看，B9838在性能、尺寸、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中小功率开关应用的理想选择。

应用

B9838常用于各类需要高效开关控制的电子系统中。典型应用包括便携式电子设备的电源管理单元，如智能手机、平板电脑和移动电源中的负载开关或电池保护电路；在DC-DC降压或升压转换器中作为主开关管或同步整流管使用，以提高转换效率；在电机驱动电路中用于控制直流电机或步进电机的启停与方向切换，特别适合无人机、玩具机器人和小型家电等产品；此外，它也被广泛应用于LED背光驱动和恒流源设计中，实现精确的电流调节与调光功能。
　　在工业领域，B9838可用于PLC模块、传感器供电控制、继电器替代以及各种开关电源拓扑结构（如Buck、Boost、Flyback）中的功率开关元件。其高可靠性与宽温度适应能力使其能在较为严苛的环境中稳定运行。由于支持表面贴装工艺，该器件非常适合高度集成化的现代电路板设计，尤其适用于追求小型化和轻量化的终端产品。