型号：B9464
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：75A
　　脉冲漏极电流（Idm）：300A
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：11mΩ @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：4500pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：1200pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：35ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

B9464具备出色的电气性能和热管理能力，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合。该器件的Rds(on)典型值仅为8.5mΩ，在同类产品中处于领先水平，这意味着在大电流工作状态下能够显著减少导通损耗，从而提高系统效率并降低对散热系统的要求。这种低阻特性特别适合用于大功率DC-DC变换器和电池供电系统中，有助于延长设备续航时间并减少发热问题。
　　该MOSFET采用了优化的晶圆结构设计，提升了载流子迁移率，同时增强了器件的雪崩能量承受能力，使其在瞬态过压或负载突变情况下仍能保持安全运行。此外，B9464具有较快的开关速度，输入电容和输出电容控制得当，使得其在高频开关应用中表现出色，减少了开关过程中的能量损耗，进一步提升了电源系统的动态响应能力。
　　在可靠性方面，B9464通过了严格的工业级和车规级测试标准，包括高温反偏（HTRB）、高压蒸煮（PCT）和温度循环等试验，确保在恶劣环境下长期稳定工作。其TO-252封装不仅具备良好的机械强度，还支持自动化贴片生产，适用于大规模制造场景。该封装形式提供了优良的散热路径，可通过PCB铜箔将热量迅速传导出去，满足高功率密度设计需求。
　　此外，B9464的栅极驱动特性友好，可在4.5V至10V的栅压范围内正常工作，兼容常见的逻辑电平驱动电路，如PWM控制器或微处理器输出信号，无需额外升压电路即可实现完全导通，简化了外围电路设计。综合来看，B9464是一款集高效、可靠、易用于一体的功率MOSFET器件，适用于多种现代电力电子系统的设计需求。

B9464广泛应用于各类需要高效功率开关控制的电子系统中。常见使用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是在AC-DC适配器、服务器电源模块和嵌入式电源系统中作为主开关管或同步整流管使用。其低导通电阻和高电流能力使其能够在高效率要求的DC-DC降压转换器中发挥关键作用，例如在通信基站、网络交换机和工业PLC中提供稳定的电压转换功能。
　　在电机驱动领域，B9464可用于直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）的H桥驱动电路中，承担电流切换任务，实现精确的速度与方向控制。其快速开关特性和耐冲击电流能力，使其能够应对电机启动瞬间的大电流冲击，保障系统运行安全。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS），特别是在电动工具、电动自行车及储能系统中用于充放电回路的通断控制。在此类应用中，B9464可作为保护开关或均衡开关，配合控制芯片实现过流、短路和反接保护等功能。
　　在汽车电子方面，尽管未明确标注为AEC-Q101认证器件，但其宽温工作范围和高可靠性使其可用于部分车载辅助电源、LED照明驱动和车载充电器等非核心控制系统中。同时，由于其表面贴装封装形式，便于实现小型化设计，适合空间受限的应用场合。总体而言，B9464是一款通用性强、适应面广的功率MOSFET，适用于工业、消费类及部分车载电子设备中的中高功率开关应用。

IPB060N04L G
　　FQP75N60
　　IRF3205
　　STP75NF75