B8827 时间：2025/12/27 11:35:13 阅读：20

B8827是一款由UTC（友顺科技）推出的N沟道场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、开关电路以及负载驱动等电子系统中。该器件采用高效率的半导体工艺制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适合在中等功率条件下工作。B8827通常被用于DC-DC转换器、电机驱动、电池供电设备及各类消费类电子产品中的功率控制模块。其封装形式多为SOT-23或类似的小型表面贴装封装，便于在紧凑型PCB设计中使用，并有助于提高组装自动化程度。由于其优异的电气性能和可靠性，B8827已成为许多设计师在选择通用N沟道MOSFET时的重要候选之一。
　　该器件的工作电压范围适中，能够支持逻辑电平驱动，因此可以直接由微控制器或其他数字信号源进行控制，无需额外的驱动电路。这使得它在嵌入式系统、便携式设备和智能家电等领域具有较高的实用价值。此外，B8827还具备较强的抗静电能力（ESD保护）和过温耐受性，在一定程度上提升了系统的鲁棒性和长期运行的稳定性。尽管并非针对极高频率或大电流场景优化，但在常规开关应用中表现均衡，性价比突出。

参数

型号：B8827
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：2.3A
　　脉冲漏极电流（Id_pulse）：6.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：450pF @ Vds=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

B8827的核心优势在于其低导通电阻与快速开关响应之间的良好平衡，使其在中低功率应用场景中表现出色。该MOSFET采用先进的沟槽型（Trench MOS）结构工艺，显著降低了导通状态下的能量损耗，从而提升整体系统效率，尤其适用于对能效要求较高的便携式设备和电池供电系统。其Rds(on)值在标准逻辑电平驱动下（如4.5V Vgs）仅为35mΩ，意味着在通过2A电流时功耗仅约140mW，发热量较低，有助于简化散热设计。同时，该器件具备较快的开关速度，得益于较小的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss约为450pF），可在高频PWM控制中实现迅速响应，减少开关过渡期间的能量浪费。
　　B8827的阈值电压范围为1.0V至2.5V，表明其能够在较低的控制信号电压下开启，兼容3.3V甚至部分2.5V逻辑系统，增强了与现代微处理器和数字控制器的接口兼容性。这种特性使其非常适合用于单片机I/O口直接驱动LED阵列、小型继电器、直流电机或作为负载开关来控制电源路径。此外，器件内部经过优化设计，具有良好的热稳定性，结温最高可达150°C，确保在高温环境下仍能可靠运行。SOT-23封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且引脚排列标准化，易于手工焊接或回流焊批量生产，提升了制造便利性。虽然其最大连续电流为2.3A，建议在实际应用中留有一定余量以避免过热，尤其是在环境温度较高或通风不良的情况下。总体而言，B8827是一款性能稳定、成本效益高的通用型N沟道MOSFET，适用于多种中低端功率切换任务。

应用

B8827常用于各类需要高效、小型化功率开关的电子设备中。典型应用包括便携式电子产品的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等设备中的电池充放电控制或负载开关电路。由于其支持逻辑电平驱动且导通电阻较低，也广泛应用于DC-DC降压转换器中的同步整流环节，帮助提高转换效率并降低温升。在工业控制领域，B8827可用于驱动小型继电器、电磁阀、LED指示灯组或传感器模块的使能控制，实现由微控制器安全地控制外部负载。此外，该器件也常见于各类消费类家电产品，如智能插座、电动玩具、电子锁具等，作为主控单元与执行机构之间的隔离与驱动桥梁。
　　在嵌入式系统开发中，B8827是工程师常用的分立元件之一，用于构建简单的H桥电机驱动电路以控制微型直流电机的方向与启停，特别适合机器人小车、自动门锁机构等小型机电一体化装置。由于其封装紧凑，也适合用于高密度PCB布局或多通道并行控制的设计场景。另外，在LED照明控制系统中，B8827可作为恒流源的开关元件，配合PWM调光技术实现亮度调节功能。考虑到其具备一定的抗干扰能力和ESD防护能力，即便在电磁环境较为复杂的场合也能保持稳定工作。综合来看，B8827凭借其优良的电气特性、成熟的供应链支持以及广泛的适用性，成为众多中低功率开关应用的理想选择。