型号：B8695
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25℃）：100A
　　脉冲漏极电流IDM：320A
　　导通电阻RDS(on)（max）：2.3mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)（typ）：1.8mΩ @ VGS=10V
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容Ciss：约6000pF
　　输出电容Coss：约1500pF
　　反向传输电容Crss：约350pF
　　栅极电荷Qg（typ）：约95nC @ VGS=10V
　　开启延迟时间td(on)：约25ns
　　关断延迟时间td(off)：约55ns
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-220 / TO-263(D2PAK)
　　

B8695采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，通过优化元胞设计与栅极工艺，在保持高击穿电压的同时显著降低了导通电阻RDS(on)，使其在大电流应用场景下能够有效减少功率损耗，提高系统效率。其典型导通电阻仅为1.8mΩ（测试条件为VGS=10V），最大不超过2.3mΩ，这意味着即使在持续百安级电流导通状态下，器件的发热也相对可控，有助于简化散热设计并提升整机可靠性。该器件具备优异的开关性能，得益于较低的栅极电荷（Qg约95nC）和合理的米勒电容（Crss约350pF）控制，使得其在高频开关电源中表现良好，可支持高达数百kHz的PWM工作频率而不会产生过大的驱动损耗或电磁干扰问题。
　　B8695还具备出色的热稳定性和长期工作可靠性，芯片结温最高可达+175℃，允许其在高温环境下持续运行。同时，器件内部经过严格的质量控制和可靠性验证，具备较强的抗雪崩能力，可在负载突变或电感反激等异常工况下承受一定的能量冲击而不损坏，增强了系统的鲁棒性。其栅源电压额定值为±20V，提供了足够的驱动裕度，兼容常见的12V逻辑电平驱动电路（如UC384X系列PWM控制器或专用MOSFET驱动IC）。此外，B8695对静电放电（ESD）也有一定的防护能力，但仍建议在装配过程中采取必要的防静电措施以确保器件安全。
　　从制造工艺角度看，B8695基于国产成熟的功率半导体平台开发，实现了高性能与成本之间的良好平衡。其TO-220或TO-263封装不仅便于手工焊接与自动化贴装，而且可通过加装散热片进一步提升散热能力，适用于各类需要高电流承载能力的应用场景。综合来看，B8695凭借其低导通阻抗、高电流能力、优良的开关特性和可靠的封装设计，成为现代高效能电源系统中理想的功率开关元件之一。
　　

B8695广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于需要大电流、低损耗开关操作的场合。典型应用包括但不限于：大功率DC-DC降压变换器（Buck Converter），用于服务器电源、通信基站电源模块及车载充电系统中，作为主开关管实现高效的电压调节；在电机驱动电路中，B8695可用于H桥拓扑结构中的低端或高端开关，控制直流电机或步进电机的正反转与调速，因其低RDS(on)可减少发热，提升驱动效率；在开关模式电源（SMPS）中，常被用作同步整流管或主控开关管，配合PWM控制器完成能量转换任务；此外，该器件也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关、逆变器电路中的功率切换节点，以及各类工业电源模块和LED恒流驱动电源中。
　　由于其高达100A的连续漏极电流能力，B8695特别适合用于大电流输出的电源设计，例如多相VRM（电压调节模块）中的并联使用，多个B8695并联后可分担电流，降低温升，提高系统冗余性与稳定性。在消费类电子产品如高性能台式机电源、游戏主机电源模组中，也可见其身影。与此同时，随着国产化替代进程加速，B8695因其稳定的供货渠道和较高的性价比，正在逐步取代部分国际品牌同类产品（如IRF1404、IRL7843等），广泛进入国内电源制造商的设计方案之中。其TO-263表面贴装版本更适用于自动化生产线，满足现代电子产品对高集成度和批量化生产的需求。
　　

CJ2304A
　　AP4435M
　　SiS439DN
　　IRF1404
　　IRL7843