时间：2025/12/27 12:37:37
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B8694是一款由士兰微电子（Silan Microelectronics）推出的高性能、高可靠性的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源及各类功率控制电路中。该器件采用先进的平面栅极工艺技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等优点，能够有效降低系统功耗并提升整体效率。B8694封装形式通常为TO-220或TO-252（DPAK），适用于多种工业级和消费类电子设备中的散热设计需求。其引脚配置为标准三端结构：栅极（G）、漏极（D）和源极（S），便于在PCB布局中实现快速替换与兼容设计。作为一款通用型功率MOSFET，B8694在国产化替代进程中具有较高的市场认可度，尤其在中小功率电源适配器、LED驱动电源、电动车控制器以及家用电器控制模块中表现优异。
型号：B8694
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大连续漏极电流（Id）：100A
栅源阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
导通电阻（Rds(on)）：≤18mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：典型值约70nC
输入电容（Ciss）：约3000pF
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220 / TO-252
B8694具备出色的电气性能和热稳定性，能够在高频开关条件下保持较低的导通损耗和开关损耗，从而显著提高电源系统的转换效率。其低导通电阻特性使其在大电流应用中表现出色，有效减少发热，延长系统寿命。该器件的栅极驱动电压范围宽泛，通常在10V至15V之间即可实现完全导通，兼容主流PWM控制芯片输出电平，适合用于DC-DC变换器、H桥驱动及电池管理系统等场景。
此外，B8694采用了优化的芯片结构设计，在抗雪崩能力和抗过载能力方面有良好表现，增强了在瞬态负载或短路情况下的可靠性。器件符合RoHS环保标准，无铅封装工艺满足现代电子产品对绿色制造的要求。其TO-220封装具有良好的散热性能，可通过加装散热片进一步提升功率处理能力，适用于持续高负载运行环境。
在制造工艺上，B8694通过严格的质量控制流程，确保批次间参数一致性高，降低了电路设计时的安全裕量需求，有助于提升系统集成度。同时，该MOSFET对静电敏感度较低，提升了生产装配过程中的良品率。综合来看，B8694不仅在性能上达到国际同类产品的先进水平，还在成本控制和本地技术支持方面具备明显优势，是国产功率器件中极具竞争力的选择之一。
广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、电动车控制器、LED恒流驱动电源、逆变器、电源适配器、电池保护板、家用电器功率控制模块等
IRF1405, STP100N6F6, FQP100N60
