型号：B8547
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.4A（@ Ta=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：21A
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（@ Vgs=10V）；32mΩ（@ Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：600pF（@ Vds=15V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-23/SOT-23-3

B8547采用先进的沟槽技术制造，具有非常低的导通电阻，这使其在大电流通过时产生的热量显著减少，从而提高了系统的能效和长期工作的可靠性。其Rds(on)典型值仅为28mΩ（在Vgs=10V条件下），即使在较小的驱动电压下（如4.5V），也能保持较低的导通损耗，确保在电池供电或节能要求高的应用中表现优异。这种低导通电阻特性对于降低电源路径上的压降至关重要，尤其在大电流负载切换或DC-DC同步整流中能够有效提升转换效率。
　　该器件具备优良的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容，这意味着它可以在高频环境下快速开启和关断，减少开关过程中的能量损耗。这对于现代高频率开关电源设计尤为重要，有助于减小外围滤波元件的体积，实现更高功率密度的设计目标。同时，快速的开关响应也有助于提升PWM调光或电机调速系统的动态响应能力。
　　B8547的阈值电压范围合理（1.0V~2.5V），能够在3.3V甚至更低的逻辑电平下实现充分导通，因此可以直接由微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的驱动芯片，简化了电路结构并降低了整体成本。这一特性使其特别适用于嵌入式系统、物联网设备和便携式智能终端中的负载开关控制。
　　此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和过载承受能力，结温可达150°C，能够在较为严苛的工作环境中稳定运行。其小型化的SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备一定的散热能力，配合合理的PCB布局可满足中等功率应用的需求。综合来看，B8547是一款性价比高、适用范围广的N沟道MOSFET，适用于对尺寸、效率和成本均有要求的应用场景。

B8547广泛应用于各类中低功率电子系统中，尤其适合需要高效开关控制的场合。常见应用包括便携式电子设备中的电源开关与负载管理，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中的电池供电路径控制。在这些设备中，B8547可用于启用或禁用特定功能模块（如显示屏背光、传感器电源等），以实现精细化的功耗管理，延长续航时间。
　　在DC-DC转换器电路中，B8547常被用作同步整流管或主开关管，尤其是在升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高电源转换效率，减少发热问题。此外，该器件也适用于恒流LED驱动电路，作为开关调节元件来控制LED亮度，支持PWM调光功能，广泛用于手电筒、照明模块和指示灯控制等场景。
　　工业控制领域中，B8547可用于驱动继电器、小型电机、电磁阀等感性负载，配合保护二极管可有效抑制反向电动势，保障系统安全。其高耐压能力和稳定的电气性能使其能在较宽的环境温度范围内可靠工作，适用于自动化仪表、智能家居控制板和传感器接口电路。
　　另外，由于其封装小巧且易于自动化贴装，B8547非常适合批量生产的消费类电子产品，在主板、电源模块和充电管理单元中均有广泛应用。无论是作为高端开关还是简单的通断控制元件，B8547都能提供稳定可靠的性能表现，是工程师在选型时值得考虑的标准N沟道MOSFET之一。

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　　 "SI2302,DMG2302,AP2302"
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