时间：2025/12/27 11:49:01
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B8340是一款由ONSEMI（安森美）生产的高效率、低功耗同步整流控制器，专为反激式电源转换器中的同步整流应用而设计。该芯片主要用于提高AC-DC电源适配器、充电器和开放式电源等应用的能效。B8340通过驱动外部N沟道MOSFET来替代传统肖特基二极管，从而显著降低整流损耗，提升整体系统效率，尤其在轻载和满载条件下均表现出优异的性能。该器件采用电流模式控制架构，具备自适应开通和关断延迟调节功能，能够精确检测变压器去磁信号，确保MOSFET在正确的时序下导通与关断，避免误触发或体二极管导通时间过长。此外，B8340内置高压启动电路，可在无需辅助绕组供电的情况下实现快速启动，并支持宽输入电压范围，增强了其在多种拓扑结构中的适用性。芯片还集成了多重保护机制，包括过温保护、VDD欠压锁定（UVLO）以及引脚开路/短路保护，提高了系统的可靠性与鲁棒性。B8340采用小型化封装，节省PCB空间，适用于追求高功率密度和高效率的现代电源设计。
工作电压范围：7V至30V
启动电流：低于50μA
静态电流：小于1.5mA
开关频率支持：高达500kHz
驱动能力：图腾柱输出，最大拉/灌电流2A
导通延迟时间：典型值60ns
关断延迟时间：典型值40ns
工作温度范围：-40°C至+125°C
封装形式：TSOP-6 或 SOT-23-6（依据具体版本）
保护功能：VDD UVLO、过温保护、引脚故障检测
B8340同步整流控制器具备多项先进特性，使其在同类产品中脱颖而出。首先，它采用了自适应栅极驱动技术，能够根据实际工作条件动态调整MOSFET的导通与关断时机，有效防止因寄生电感或漏感引起的误关断或直通现象，从而提升系统稳定性。其次，该芯片支持谷底导通检测（Valley Detection），能够在变压器去磁完成后的最低电压点开启MOSFET，最大限度地减少开关损耗并抑制电压尖峰，这对于提高轻载效率和电磁兼容性（EMC）表现至关重要。
另一个关键特性是其高压启动功能。B8340内部集成高压电流源，可在上电初期直接从漏极或辅助绕组取电为VDD电容充电，无需额外的辅助电源绕组即可完成启动过程，简化了变压器设计并降低了系统成本。同时，该功能支持快速启动，在冷启动条件下也能保证电源迅速进入正常工作状态。
为了应对不同负载条件下的效率优化需求，B8340实现了智能跳周期模式与低功耗待机控制。当负载减轻时，控制器自动进入间歇工作模式，降低驱动频率和静态功耗，满足能源之星和DoE VI等国际能效标准的要求。此外，芯片具备出色的抗噪声能力，通过对SR引脚的电压变化率进行滤波和判断，有效抑制高频干扰信号对同步整流动作的影响，避免误触发导致的能量倒灌问题。
最后，B8340提供全面的故障保护机制。除了基本的VDD欠压锁定外，还具备引脚开路、短路检测功能，可识别SR引脚异常连接情况并自动关闭输出，防止MOSFET损坏。过温保护则在芯片温度超过安全阈值时强制停止工作，待温度恢复后自动重启，确保长期运行的可靠性。这些综合特性使B8340成为高性能反激电源中理想的同步整流解决方案。
B8340广泛应用于各类中低功率AC-DC电源系统中，典型应用场景包括手机、平板电脑和笔记本电脑的充电适配器，尤其是追求高效率和小体积的设计。由于其出色的轻载效率表现，也适用于待机功耗要求严格的智能家居设备、物联网终端和无线路由器等产品。此外，该芯片常用于开放式框架电源（Open Frame PSU）、LED照明驱动电源以及工业级电源模块中，帮助客户满足日益严苛的能效法规要求，如欧盟CoC Tier 2、美国Energy Star和中国GB20943标准。在USB PD快充电源设计中，B8340可配合主控PWM芯片实现二次侧同步整流，进一步提升整体转换效率，降低发热，提升产品竞争力。
NCP4340
