B82789S223N2 时间：2025/12/27 11:36:36 阅读：9

B82789S223N2是TDK公司生产的一款高性能片式电感器（Chip Inductor），属于其EPCOS品牌下的LF系列。该器件专为现代电子设备中对高可靠性、小尺寸和优异高频性能有严格要求的应用而设计。B82789S223N2采用多层陶瓷结构与先进的制造工艺，确保在高频工作条件下仍能保持稳定的电感值和低损耗特性。该电感器广泛应用于射频（RF）电路、无线通信模块、电源管理单元以及各类便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网（IoT）终端等。其紧凑的封装形式使其非常适合高密度贴装的印刷电路板（PCB）设计，并支持自动化表面贴装技术（SMT），提高了生产效率和产品一致性。此外，该元件具备良好的温度稳定性和机械强度，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行，适用于工业级和商业级应用环境。

参数

型号：B82789S223N2
　　电感值：22μH ±10%
　　直流电阻（DCR）：典型值 0.36Ω
　　额定电流（Ir）：300mA（温升限制）
　　自谐振频率（SRF）：典型值 45MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +155°C
　　封装尺寸：1210（3225公制），即3.2mm x 2.5mm x 2.0mm
　　端电极材料：镍/锡镀层，符合RoHS标准
　　磁芯类型：铁氧体磁芯
　　屏蔽类型：半屏蔽结构，降低电磁干扰（EMI）
　　焊接方式：回流焊兼容，适用于无铅焊接工艺

特性

B82789S223N2片式电感器具有优异的高频响应特性和稳定的电感性能，在多种复杂电磁环境中均能保持良好的信号完整性。其采用铁氧体磁芯与多层绕组结构相结合的设计，有效提升了磁通密度并降低了涡流损耗，从而实现了较高的Q值和较低的能量损耗。这种结构还赋予了器件较强的抗饱和能力，即使在一定直流偏置下也能维持相对稳定的电感值，这对于电源去耦和滤波电路尤为重要。
　　该电感器具备出色的温度稳定性，其电感值随温度变化的漂移较小，确保在极端环境条件下依然能够可靠工作。半屏蔽结构设计显著抑制了外部电磁干扰（EMI）的影响，同时也减少了自身对外界的磁场辐射，提升了系统的电磁兼容性（EMC）。这一特性使其特别适合用于高灵敏度的射频前端电路中，例如蓝牙、Wi-Fi或Zigbee模块中的匹配网络和滤波器。
　　此外，B82789S223N2符合RoHS环保标准，不含铅、镉、六价铬等有害物质，支持绿色电子制造。其端电极为镍/锡双层镀膜，具有良好的可焊性和长期连接可靠性，能够承受多次热循环而不出现开裂或脱落现象。器件经过严格的可靠性测试，包括高温高湿储存、温度循环、耐焊接热等试验，确保在批量应用中的品质一致性。整体而言，该电感器集小型化、高性能与高可靠性于一身，是现代高频及功率电路设计中的理想选择。

应用

B82789S223N2主要用于需要稳定电感值和低电磁干扰的高频模拟与射频电路中。常见应用场景包括移动通信设备中的射频匹配网络、LC滤波器、低噪声放大器（LNA）输入输出端的调谐电路，以及无线收发模块中的功率放大器（PA）偏置与去耦电路。由于其具备一定的载流能力和较低的直流电阻，也可用于DC-DC转换器中的储能电感，特别是在中低功率的降压或升压拓扑中表现良好。
　　在便携式消费类电子产品中，如智能手机、智能手表、无线耳机等，该电感器被广泛用于电源管理单元（PMU）和电池供电系统的噪声抑制与能量存储。其小尺寸和高集成度特点使其能够在有限的PCB空间内实现高效的电路功能。此外，在物联网（IoT）节点、传感器模块和智能家居控制板中，B82789S223N2可用于构建稳定的时钟振荡回路或作为EMI滤波元件，提升系统抗干扰能力。
　　工业控制与汽车电子领域也是其重要应用方向之一，尤其是在车载信息娱乐系统、远程通信单元和车身控制模块中，该器件可在较宽温度范围内稳定运行，满足严苛的环境适应性要求。同时，它也适用于医疗电子设备中对信号精度和电源纯净度要求较高的场合，如便携式监护仪、无线传输模块等，保障关键数据的准确采集与传输。