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B82789C104N2 发布时间 时间:2025/12/27 11:29:16 查看 阅读:9

B82789C104N2 是由 TDK 公司生产的一款多层陶瓷电容器(MLCC),主要用于电子电路中的去耦、滤波、旁路和信号耦合等应用。该器件属于 EPCOS 系列产品,具有高可靠性、小尺寸和优良的电气性能,广泛应用于工业设备、消费类电子产品、通信系统以及汽车电子等领域。该电容器采用 0805(2012 公制)封装,额定电容为 100nF(即 0.1μF),容差为 ±10%,额定电压为 50V DC,适用于中等电压工作的场景。其介质材料为 X7R,表示其具有良好的温度稳定性,能够在 -55°C 至 +125°C 的宽温度范围内保持电容值变化不超过 ±15%。这种特性使其在环境温度波动较大的应用中表现出色。此外,该元件符合 RoHS 指令要求,无铅且环保,适合现代自动化贴片生产工艺,具备良好的可焊性和长期稳定性。由于 TDK 在被动元件领域的技术积累,B82789C104N2 在抗老化、低损耗和高频响应方面表现优异,是许多设计工程师在电源管理单元和模拟信号链中优先选用的电容型号之一。

参数

型号:B82789C104N2
  制造商:TDK
  封装/尺寸:0805 (2012)
  电容值:100nF (0.1μF)
  容差:±10%
  额定电压:50V DC
  介质材料:X7R
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  温度特性:ΔC/C ≤ ±15% (-55°C 至 +125°C)
  电容类型:陶瓷多层电容器 (MLCC)
  安装类型:表面贴装 (SMD)
  产品系列:EPCOS
  RoHS 状态:符合 RoHS

特性

B82789C104N2 采用 X7R 陶瓷介质材料,具备出色的温度稳定性和时间稳定性,能够在 -55°C 到 +125°C 的宽温范围内维持电容值的变化在 ±15% 以内,这使得它非常适合用于对温度变化敏感的应用场景,例如工业控制系统、车载电子模块和户外通信设备。其 50V 的直流额定电压提供了足够的安全裕度,适用于大多数中压电源轨的去耦和滤波任务,如微处理器供电引脚、FPGA 或 DSP 的电源网络。该电容器的 0805 封装形式在空间利用率和焊接可靠性之间实现了良好平衡,既适合高密度 PCB 设计,又便于回流焊和波峰焊工艺处理。此外,X7R 材料相较于 Y5V 等介质具有更低的电压依赖性和更小的容量偏移,即使在接近额定电压下工作,也能保持较高的有效电容值。
  该器件具有较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),因此在高频去耦应用中表现良好,能够有效抑制电源噪声并提高系统的电磁兼容性(EMC)。在开关电源输出端或高速数字电路中,它可以快速响应瞬态电流需求,减少电压波动。同时,作为 MLCC 器件,它不具有极性,避免了因反向连接导致的损坏风险。TDK 的制造工艺确保了该电容具有优异的机械强度和抗热冲击能力,在多次温度循环后仍能保持性能稳定。此外,其无磁性结构也适用于高精度测量仪器和射频电路中,不会引入额外的干扰。整体而言,B82789C104N2 是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的通用型陶瓷电容,广泛受到硬件设计人员的青睐。

应用

B82789C104N2 广泛应用于各类电子设备中的电源去耦和噪声滤波场合。在数字电路中,常被用于微控制器、ASIC、FPGA 和内存芯片的电源引脚附近,以滤除高频噪声并稳定供电电压,防止因瞬态电流引起的逻辑错误。在开关电源(SMPS)设计中,它可用于输入和输出滤波网络,协助平滑电压纹波,提升转换效率和稳定性。此外,在模拟信号链路中,该电容器可用于交流耦合、级间旁路和低通滤波器构建,尤其适合中频信号处理场景。工业自动化设备如 PLC、传感器模块和电机驱动器也普遍采用该型号进行电源稳压和抗干扰设计。
  在通信基础设施中,B82789C104N2 可用于基站射频模块、光模块和路由器主板上的局部去耦,保障信号完整性。汽车电子领域中,该器件适用于车身控制模块(BCM)、信息娱乐系统和 ADAS 相关电子单元,因其具备良好的温度适应性和振动耐受性,能够在严苛环境下长期可靠运行。消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居设备中,也常见其身影,用于音频电路、摄像头模块和无线连接芯片(Wi-Fi/Bluetooth)的供电滤波。此外,医疗设备、测试仪器和电源适配器等对元器件可靠性要求较高的行业,也将其作为标准配置之一。得益于其小型化封装和高性能表现,B82789C104N2 成为了现代电子产品中不可或缺的基础元件。

替代型号

C2012X7R1H104K,C3216X7R1H104K,GRM21BR71H104KA01L,CL21A106KOANNNC,ECJ-2VB1H104K

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