产品类型：陶瓷电容器
　　电容值：1pF
　　容差：±0.05pF
　　额定电压：100V
　　温度系数：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　介质材料：C0G（NP0）
　　直流偏压特性：无明显变化
　　等效串联电阻（ESR）：极低
　　自谐振频率（SRF）：典型值高于10GHz
　　老化率：0%/decade
　　磁性：非磁性版本可选

B82498F3100G000的核心特性之一是其采用C0G（也称NP0）介质材料，这是一种具有极高温度稳定性的陶瓷配方，能够在整个工作温度范围内实现几乎零漂移的电容值表现。这种材料的温度系数为0±30ppm/°C，确保了在极端环境条件下电容值不会发生显著偏移，非常适合用于高精度定时、振荡和滤波电路。
　　其次，该器件具有超低的介电损耗，典型的耗散因数（DF）低于0.1%，这使其在高频应用中能够有效减少能量损失并提升电路效率。由于其极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），B82498F3100G000在GHz级别的射频信号处理中表现出色，能够支持高达10GHz以上的自谐振频率（SRF），从而保证在高频段依然保持容性行为，避免因感性转变而导致的性能下降。
　　第三，该电容器采用微型0402封装（1.0mm × 0.5mm），不仅节省PCB空间，而且适配自动化贴装工艺，提高了生产效率。尽管体积小巧，但其结构设计优化了电流分布路径，进一步降低了寄生效应，增强了高频响应能力。
　　此外，该器件具备出色的抗老化性能，C0G材质决定了其电容值不会随时间推移而衰减，老化率为0%/decade，确保长期使用的可靠性。同时，它对直流偏置不敏感，在额定电压范围内施加直流电压时，电容值基本不变，这一点对于需要稳定阻抗匹配的射频电路至关重要。
　　最后，B82498F3100G000经过严格的质量控制流程，符合RoHS指令要求，并可通过AEC-Q200认证，适用于汽车电子、航空航天及工业级应用场景。其非磁性版本还可用于对磁场敏感的测量仪器或MRI相关设备中，避免引入额外干扰。

B82498F3100G000主要用于高频模拟与射频电路设计中，典型应用包括5G通信基站的前端模块（FEM）、毫米波雷达系统的匹配网络、卫星通信设备中的本振（LO）电路、测试测量仪器中的高精度滤波器以及高速数据传输线路的耦合电容。由于其卓越的频率响应和稳定性，它常被用于LC谐振回路、RF扼流、去耦和旁路等关键节点，确保信号通路的纯净与高效。
　　在无线基础设施领域，该电容器广泛应用于功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）和双工器中，作为输入输出端口的交流耦合元件，能够有效隔离直流分量而不影响高频信号传输。其低损耗特性有助于提高系统整体增益和信噪比。
　　在工业应用方面，该器件可用于射频识别（RFID）读写器、微波加热控制系统以及医疗射频设备中，提供可靠的高频性能支持。此外，在高端消费电子产品如智能手机、平板电脑的Wi-Fi和蓝牙模块中，B82498F3100G000也被用于GHz频段的阻抗匹配，以优化天线性能和连接稳定性。
　　由于其满足AEC-Q200标准，该型号同样适用于车载通信系统、ADAS雷达传感器和车载信息娱乐系统，在高温、高湿、强振动等恶劣环境下仍能保持稳定的电气性能。

GRM155C81H1R0WA01D
　　CC0402JRNPO9BN1R0
　　GCM155C71H1R0W