型号：B82498F1472J
　　制造商：TDK/EPCOS
　　电容值：4.7pF
　　容差：±0.1pF
　　额定电压：100V DC
　　介电材质：NPO（C0G）
　　温度系数：±30ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　高度：≤1.25mm
　　端接类型：镍阻挡层/锡镀层
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　类别：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　应用频率范围：高达6GHz以上
　　Q值：≥1000（典型值，在1GHz下）
　　等效串联电阻（ESR）：<0.05Ω（典型）
　　自谐振频率（SRF）：>6GHz（典型）

B82498F1472J作为一款高频专用NPO（C0G）材质的多层陶瓷电容器，具备卓越的电气性能与稳定性，特别适用于射频和微波电路中的关键位置。其最显著的特性之一是使用C0G（NPO）类温度补偿型陶瓷介质，这种材料在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）表现出几乎线性且可忽略的电容变化，温度系数仅为±30ppm/°C，确保了在极端环境条件下电容值的高度一致性。这使得该器件在精密振荡电路、LC调谐回路和带通滤波器中能够维持精确的频率响应，避免因温漂引起的失谐问题。
　　另一个重要特性是其出色的高频响应能力。得益于优化的内部电极结构和低损耗陶瓷材料，B82498F1472J在高达6GHz以上的频段仍能保持较高的品质因数（Q值），典型值超过1000（在1GHz时），同时具有极低的等效串联电阻（ESR）和寄生电感（ESL），有效降低了能量损耗和发热风险。这种低损耗特性对于提高射频功率放大器效率、减少噪声系数以及提升接收灵敏度至关重要。
　　此外，该电容器采用标准0805 SMD封装，兼容自动化贴片工艺，适合大规模生产应用。其端电极为镍阻挡层加锡镀层设计，增强了焊接可靠性和抗热冲击性能，支持回流焊和波峰焊等多种组装方式。产品符合AEC-Q200可靠性标准，具备良好的机械强度和长期稳定性，能够在高振动、高温变环境中稳定运行。由于不含铁磁性材料，不会引入额外的电磁干扰，适用于高密度PCB布局。整体而言，B82498F1472J是一款面向高端射频系统的高性能被动元件，兼顾小型化、高稳定性和优异的高频表现。

B82498F1472J广泛应用于各类对信号精度和稳定性要求极高的高频电子系统中。其主要应用场景包括无线通信设备中的射频前端模块，如功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）和天线调谐电路中的直流阻断、旁路和阻抗匹配功能。在5G基站、毫米波通信链路和Wi-Fi 6E/7射频模组中，该电容器可用于构建高频LC滤波器和谐振电路，确保信号通带内的平坦响应和最小插入损耗。此外，在移动终端设备如智能手机和平板电脑中，它常用于GPS、蓝牙和UWB（超宽带）系统的匹配网络，以提升定位精度和传输可靠性。
　　在测试与测量仪器领域，例如矢量网络分析仪（VNA）、频谱仪和信号发生器中，B82498F1472J因其高Q值和低相位噪声特性，被用于校准电路和参考振荡器路径中，保障测量结果的准确性。在雷达系统和航空航天电子设备中，该器件也发挥着重要作用，特别是在X波段和Ku波段的收发组件中，用于实现稳定的频率选择和滤波功能。
　　此外，该电容器还适用于医疗成像设备、工业传感器和物联网（IoT）网关等需要长期稳定运行的嵌入式系统。在这些应用中，C0G介质带来的长期老化稳定性（年老化率接近0%）可确保设备在整个生命周期内维持一致性能。由于其无磁性、耐高温且符合环保标准，也可用于汽车电子中的高级驾驶辅助系统（ADAS）雷达模块，满足车规级可靠性要求。总体来看，B82498F1472J凭借其高频性能和环境适应性，已成为现代高频模拟电路中不可或缺的关键元件。

GRM21BR71H470KA01L
　　CC0805JRX7R9BB470
　　C2012X5SL1HA470T