时间：2025/12/27 12:13:48
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B82496C3479J是TDK公司生产的一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），广泛应用于各类电子设备中。该器件属于爱普科斯（EPCOS）品牌产品线，专为需要高稳定性和可靠性的电路设计而开发。B82496C3479J具有小型化封装、低等效串联电阻（ESR）和优良的高频特性，适用于去耦、滤波、旁路以及信号耦合等多种电路功能。其制造采用先进的陶瓷材料和精密叠层工艺，确保在各种工作条件下都能保持稳定的电容性能。此外，该型号符合RoHS环保标准，适合无铅焊接工艺，在现代电子产品中具备良好的兼容性与可靠性。由于其优异的电气特性和机械稳定性，B82496C3479J常被用于通信设备、工业控制系统、汽车电子模块以及消费类电子产品中。
该电容器的命名遵循EPCOS/TDK的标准编码规则，其中包含了尺寸、介质类型、电容值和误差等级等信息。B82496C3479J采用标准卷带包装，便于自动化贴片生产，提升了大批量制造效率。作为一款X7R温度特性的陶瓷电容，它能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化不超过±15%，适用于环境条件较为严苛的应用场景。
型号：B82496C3479J
电容值：4.7μF
容差：±10%
额定电压：50V DC
温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C）
封装尺寸：1210（3225公制）
介质材料：陶瓷（多层）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
直流偏压特性：随电压升高电容略有下降
等效串联电阻（ESR）：典型值低于10mΩ（频率相关）
等效串联电感（ESL）：极低，适合高频应用
安装类型：表面贴装（SMD）
焊端处理：镍障层+锡镀层，兼容无铅焊接
RoHS合规性：是
B82496C3479J具备出色的电性能稳定性，特别是在不同温度和直流偏置条件下仍能维持较高的有效电容值。其X7R陶瓷介质材料具有较低的温度系数，确保在-55°C到+125°C的宽温范围内电容变化控制在±15%以内，这对于电源去耦和模拟信号路径中的稳定运行至关重要。相比其他介电材料如Y5V，X7R提供了更优的稳定性，虽然容量密度略低，但在关键应用场景中更为可靠。
该器件采用多层结构设计，通过将多个陶瓷-电极层交替堆叠，实现大容量与小体积的结合。在1210（3225）封装内集成4.7μF电容，体现了当前MLCC技术的高度集成能力。这种结构不仅降低了等效串联电感（ESL），还显著减小了等效串联电阻（ESR），使其在高频去耦应用中表现优异，能够有效抑制高速数字电路中的电压波动和噪声干扰。
另一个重要特性是其良好的直流偏压响应。尽管所有高介电常数陶瓷电容都会在施加直流电压时出现容量衰减，但B82496C3479J经过优化设计，在50V额定电压下仍能保持相对较高的可用容量。例如，在实际施加20V或30V偏压时，其有效电容仍可维持在标称值的70%以上，远优于普通Z5U或Y5V材质的电容。
机械强度和热循环耐受性也是该型号的重要优势。其结构设计能够承受多次回流焊过程，并在温度剧烈变化的工作环境中保持连接可靠性。端电极采用镍阻挡层加锡覆层设计，防止银迁移并增强焊接牢固性，适用于汽车电子和工业设备等对长期可靠性要求高的场合。此外，该器件具有低自发热特性，在高纹波电流应用中不易因内部损耗导致过热损坏，进一步提升系统安全性。
B82496C3479J广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于对电容稳定性、体积限制和可靠性有较高要求的场合。在电源管理系统中，它常被用作开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和LDO稳压器的输入/输出滤波电容，利用其低ESR和高纹波电流承受能力来平滑电压波动并抑制电磁干扰。在高性能数字电路中，如微处理器、FPGA和ASIC供电网络中，该电容作为去耦元件，能够快速响应瞬态电流需求，维持核心电压稳定，从而保障芯片正常运行。
在通信设备领域，B82496C3479J可用于射频模块、基站前端电路和数据传输接口的旁路与耦合应用。其低ESL特性有助于在GHz频段内提供有效的高频旁路通路，减少信号失真和串扰。此外，在工业自动化控制系统中，该电容用于PLC模块、传感器信号调理电路和电机驱动单元中，提供稳定的电源支撑和噪声滤除功能。
汽车电子是另一个关键应用方向。随着车载电子系统复杂度增加，对元器件的温度适应性和长期可靠性提出更高要求。B82496C3479J可在发动机舱附近的高温环境中稳定工作，适用于车身控制模块、信息娱乐系统和ADAS（高级驾驶辅助系统）的电源滤波部分。同时，该器件也常见于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的主板设计中，承担关键节点的储能与滤波任务，支持高效能低功耗运行。
C3225X7R1H475K
