型号：B82496C3220G
　　品牌：TDK/EPCOS
　　电容值：22pF
　　额定电压：100V DC
　　温度系数/电容特性：C0G（NP0）
　　容差：±0.5pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0603（1608 公制）
　　介质材料：Ceramic (Class I)
　　电介质类型：C0G/NP0
　　直流偏压特性：无明显容量下降
　　老化率：0% per decade
　　等效串联电阻（ESR）：极低
　　绝缘电阻：≥ 10,000 MΩ 或 C × V ≥ 500 MΩ·μF
　　耐焊接热：符合 IEC 60068-2-57 标准
　　抗硫化能力：通过 AEC-Q200 测试
　　端接电极：镍阻挡层 + 锡镀层
　　RoHS合规性：符合
　　AEC-Q200认证：是

B82496C3220G 采用 Class I 类陶瓷介质材料，具体为 C0G（也称 NP0）电介质，这种材料具有极高的温度稳定性和频率稳定性。在 -55°C 到 +125°C 的整个工作温度范围内，其电容值变化不超过 ±30ppm/°C，确保了在各种环境条件下电容值的高度一致性。这对于需要精密定时、滤波或振荡的应用至关重要，例如射频电路、时钟生成电路和高精度传感器接口。由于 C0G 材料本质上是非铁电性的，因此不会出现像 X7R 或 Y5V 等 II 类陶瓷电容器那样的直流偏压导致的容量显著下降问题，即使在接近额定电压下工作，其电容值也能保持几乎不变。
　　该器件具有非常低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频应用中表现出色。低 ESR 意味着更少的能量损耗和更低的工作温升，有助于提高电源系统的整体效率；而低 ESL 则提升了其在高频去耦中的有效性，能够快速响应瞬态电流需求，抑制高频噪声。此外，B82496C3220G 具备出色的长期稳定性，其老化率为 0%，即电容值不会随时间推移而发生可测量的衰减，这对于需要长期可靠运行的工业和汽车应用尤为重要。
　　在机械和环境可靠性方面，该电容器采用镍阻挡层端子结构，能有效防止硫化物侵入导致的内部电极腐蚀，显著提升了在含硫环境（如工业区或某些车载环境）中的寿命和稳定性。其结构设计还优化了抗热冲击和抗板弯曲能力，能够在回流焊过程中承受多次高温循环而不损坏，并适应 PCB 在使用过程中的微小形变。所有这些特性共同使 B82496C3220G 成为高可靠性、高性能电子系统中首选的电容解决方案之一。

B82496C3220G 广泛应用于对电容稳定性、可靠性和高频性能要求较高的场合。在汽车电子领域，它常用于发动机控制单元（ECU）、高级驾驶辅助系统（ADAS）、车载信息娱乐系统、LED 照明驱动以及电池管理系统（BMS）中的滤波和去耦电路，尤其是在传感器信号调理和高频振荡电路中发挥关键作用。由于其通过 AEC-Q200 认证，能够在 -40°C 至 +125°C 甚至更高结温环境下稳定工作，非常适合车载严苛工况。
　　在工业控制与自动化系统中，该电容器被广泛用于 PLC（可编程逻辑控制器）、工业传感器、电机驱动器和电源模块中，用于稳定参考电压、滤除高频噪声以及提升模拟前端的信噪比。在通信设备中，如基站、光模块和射频识别（RFID）系统，B82496C3220G 凭借其优异的频率响应和低损耗特性，常用于 LC 滤波器、匹配网络和 RF 耦合/去耦电路。
　　此外，在医疗电子设备、测试与测量仪器以及高精度数据采集系统中，该器件也因其极低的电容漂移和高可靠性而受到青睐。其 0603 小型封装形式使其适用于高密度贴装设计，同时兼顾性能与空间限制。无论是用于构建稳定的 RC 定时电路，还是作为高速数字系统的局部去耦电容，B82496C3220G 都能提供卓越的电气性能和长期运行保障。

C0603C220J5GACTU
　　GRM188R71H220KA01D
　　CL21A220JBANNNC
　　CC0603JRNPO9BN220