型号：B82496C3109Z
　　电容值：1.0 pF
　　额定电压：100 V DC
　　电容公差：±0.1 pF
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0805（2.0 mm x 1.25 mm）
　　介质材料：Ceramic (C0G/NP0)
　　Q值：≥1000 @ 1 GHz
　　自谐振频率（SRF）：典型值约6.0 GHz
　　直流电阻（DCR）：极低
　　老化率：≤0.1% / decade
　　ESR：极低，适合高频应用
　　ESL：低等效串联电感，优化高频性能

B82496C3109Z作为TDK EPCOS High-Q系列的高性能多层陶瓷电容器，具备卓越的高频特性和稳定性，特别适用于对信号完整性和相位噪声要求极高的射频与微波电路中。其采用C0G（也称为NP0）介质材料，具有几乎零温度系数，确保电容值在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持高度稳定，不会因温度变化而产生显著漂移。这种材料还表现出极低的老化率和优异的非电压依赖性，即电容值不随施加电压的变化而改变，这对于精密调谐电路和滤波器至关重要。
　　该器件的高Q值（品质因数）是其核心优势之一，在1 GHz频率下Q值不低于1000，意味着其能量损耗极小，能够有效提升射频电路的效率和选择性。高Q值有助于降低相位噪声、提高振荡器频率稳定性，并增强滤波器的带外抑制能力。此外，由于其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），B82496C3109Z在高频下仍能保持接近理想电容器的行为，减少了寄生效应带来的性能下降。
　　该电容器采用多层结构设计，在保证小尺寸（0805）的同时实现可靠的电气连接和机械强度。其端电极经过特殊处理，具备良好的可焊性和抗热冲击能力，适合回流焊工艺，适用于自动化贴片生产线。B82496C3109Z还通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（THB）、温度循环和耐焊接热测试，确保在恶劣环境下长期稳定运行。由于其出色的电气性能和环境适应性，该器件被广泛用于5G通信模块、毫米波雷达、卫星通信前端、高精度测量仪器以及航空航天电子系统中，是高频模拟设计工程师的理想选择。

B82496C3109Z主要用于高频和射频电子系统中，适用于对电容稳定性、低损耗和高频响应有严格要求的应用场景。典型应用包括射频匹配网络，在无线发射和接收链路中用于天线调谐、功率放大器输入输出匹配，以最大化功率传输并减少反射损耗；在LC谐振电路中，该电容器常用于构建高Q值的振荡器、滤波器和陷波器，提升频率选择性和系统信噪比；在高频耦合和去耦电路中，它可用于信号路径中的交流耦合或作为旁路电容，滤除高频噪声，保持电源或信号线的纯净度。
　　该器件也广泛应用于现代通信基础设施，如5G基站、微波回传设备和光纤通信模块中的射频前端单元。在测试与测量领域，B82496C3109Z被用于矢量网络分析仪、频谱仪和信号发生器等精密仪器中，确保测量精度不受元件非理想特性影响。此外，在汽车雷达系统（如77GHz毫米波雷达）的射频前端模块中，该电容器用于滤波和阻抗匹配，保障雷达探测的准确性和稳定性。在高端消费类电子产品中，例如智能手机的射频模组和Wi-Fi 6E/7射频前端，B82496C3109Z也有应用，以支持更高频段的无线通信需求。其高可靠性和一致性也使其适用于工业控制、医疗电子和航空航天等对长期稳定性要求极高的领域。

GRM21BR71H1R0CA01D
　　CC0805JRX7R9BB100
　　C2012X5S1H1R0C