产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：100nF (104)
　　容差：±20%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%）
　　外壳尺寸：1005（公制）/0402（英制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
　　端接类型：镍障层电极（Ni-barrier）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS 合规，AEC-Q200（可能适用）

B82476B1104M000所采用的X7R陶瓷介质赋予其出色的温度稳定性，在-55°C到+125°C的工作温度范围内，电容值的变化被严格控制在±15%以内，这使其优于许多通用型Y5V或Z5U类电容器。这种稳定性对于需要在宽温环境下维持电路性能一致性的应用场景至关重要，例如汽车引擎舱内的电子控制单元（ECU）或户外通信基站模块。X7R材料还具有较低的电场依赖性，即使在接近额定电压下工作时，电容值也不会出现显著下降，从而提高了实际使用中的可预测性。
　　该电容器采用先进的多层叠膜工艺制造，内部由数十甚至上百层交替排列的陶瓷介质与内电极构成，极大提升了单位体积下的电容密度。这种结构不仅实现了小尺寸下的高容量，也降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有利于提高高频响应能力，增强去耦和滤波效果。尤其在数字电路的电源轨旁路应用中，能够有效吸收瞬态电流波动，抑制电压尖峰和噪声干扰。
　　Ni-barrier端接技术是该器件的一大亮点，它通过在铜或银基底上沉积一层镍扩散阻挡层，防止在高温焊接过程中金属离子迁移导致的可靠性问题。这一设计显著增强了器件的耐热循环能力和长期环境耐久性，特别是在经历多次回流焊或处于高温高湿环境时表现出更强的稳定性。同时，该端接方式改善了焊点的润湿性和机械强度，减少虚焊、立碑等SMT缺陷风险。
　　作为TDK-EPCOS高品质MLCC产品线的一员，B82476B1104M000在生产过程中执行严格的品控流程，包括100%电性能测试、自动光学检测（AOI）以及老化筛选，确保每一批次产品的高一致性与可靠性。其符合RoHS指令要求，并支持无铅回流焊工艺（峰值温度可达260°C），适应现代绿色制造趋势。整体而言，这款电容器集小型化、高性能与高可靠性于一身，是严苛工业与汽车应用中的优选元件。

B82476B1104M000多层陶瓷电容器广泛用于各类电子系统的电源管理与信号调理电路中。在汽车电子领域，常用于发动机控制单元（ECU）、车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统和ADAS传感器供电线路的去耦与滤波，保障关键系统在剧烈温度变化和振动环境下的稳定运行。在工业自动化设备中，该电容器被部署于PLC控制器、变频器、工控电源模块等场合，用于平滑直流母线电压、降低电磁干扰（EMI）并提升系统抗扰度。
　　在通信基础设施方面，B82476B1104M000适用于基站射频模块、光模块和网络交换设备中的局部电源去耦，帮助维持高速信号链路的完整性。其低ESR和良好频率响应特性有助于抑制高频噪声，防止电源噪声耦合至敏感模拟或射频电路。
　　此外，在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居设备中，该器件可用于处理器核心电源的旁路电容网络，配合其他容值电容形成多级滤波结构，以应对动态负载引起的电压波动。其小型化封装（0402）特别适合高密度PCB布局需求，节省宝贵的板空间。
　　在医疗电子、测试测量仪器和电源适配器等对长期可靠性要求较高的应用中，该电容器同样表现出色。得益于其稳定的X7R介质特性和坚固的Ni-barrier端接结构，能够在长时间运行中保持性能不退化，降低系统故障率。总体来看，B82476B1104M000是一款通用性强、可靠性高的MLCC，适用于多种对电容稳定性与工艺兼容性有较高要求的应用场景。

C0402X7R1H104K
　　GRM155R71H104KA01D
　　CL10A104KOHNNT
　　CC0402JRNPO9BN104