型号：B82476A1333M
　　品牌：TDK/EPCOS
　　电容值：33000pF (33nF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介电材质：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：±15% 电容变化
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　高度：2.5mm
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍/锡（Ni/Sn）
　　最大厚度：2.5mm
　　包装形式：卷带包装
　　应用等级：工业级、汽车级可用
　　RoHS合规性：符合

B82476A1333M作为一款高性能多层陶瓷电容器，采用了先进的X7R型介电材料，这种材料以其出色的温度稳定性和较小的容量漂移而著称。在-55°C到+125°C的工作温度区间内，其电容值的变化被严格控制在±15%以内，这使得它非常适合用于对稳定性要求较高的模拟和数字电路中。例如，在精密电源管理单元或高温环境下工作的车载电子模块中，该电容能够保证长期稳定的性能输出，不会因环境温度波动而导致系统异常。此外，该器件采用多层堆叠结构制造工艺，显著降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而提升了其在高频下的阻抗特性，使其能够在GHz级别的信号路径中有效发挥滤波和去耦作用。
　　B82476A1333M还具备优异的机械强度和抗热冲击能力。其1210封装尺寸在提供足够电容值的同时，兼顾了空间利用率与焊接可靠性，适用于自动化贴片生产线。经过严格的回流焊测试验证，该器件可在标准无铅焊接流程中保持完整性，避免裂纹或分层等常见失效模式。同时，其镍/锡端电极设计增强了可焊性，并提高了长期使用的耐腐蚀性能，尤其适用于潮湿或多尘的工业现场环境。该电容器还展现出良好的直流偏压特性，即使在接近额定电压的条件下，仍能保持较高的有效电容利用率，这对于需要大容量去耦但供电电压较高的应用场景尤为重要。
　　从可靠性角度看，B82476A1333M通过了AEC-Q200等汽车级认证，表明其具备在严苛车载环境中长期运行的能力，可用于发动机控制单元、ADAS系统或车载信息娱乐系统等关键部位。此外，TDK为其提供了完整的质量保证体系和批次追溯机制，进一步增强了客户对其产品一致性和可靠性的信心。综合来看，B82476A1333M不仅在电气性能上表现卓越，而且在物理耐用性、环境适应性和生产工艺兼容性方面均达到了行业领先水平，是一款适用于多种高端电子系统的理想选择。

B82476A1333M广泛应用于多个高要求的电子领域。在通信基础设施中，常用于基站射频模块的耦合与去耦电路，帮助稳定信号链路并减少串扰；在工业自动化设备中，作为开关电源的输出滤波电容，有效平滑电压波动，提高系统稳定性；在汽车电子系统中，因其通过AEC-Q200认证，被大量用于车身控制模块、仪表盘显示系统及车载网络节点的电源去耦设计；此外，在医疗仪器、测试测量设备和消费类高端电子产品中也有广泛应用，特别是在需要高可靠性与小体积兼顾的设计场景下表现出色。该器件特别适合用于DC-DC转换器、FPGA或ASIC的电源引脚旁路、时钟电路滤波以及中频信号处理路径中的隔直电容。凭借其稳定的温度特性和低损耗特性，B82476A1333M能够在复杂电磁环境中维持系统正常运行，是现代高性能电子系统中不可或缺的关键无源元件之一。

B82476A1333M