型号：B82472G6332M
　　制造商：TDK
　　品牌：EPCOS
　　电容：3.3 pF
　　容差：±0.1 pF
　　额定电压：100 V DC
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：X7R
　　封装尺寸：0402（1.0 mm x 0.5 mm）
　　介质材料：陶瓷
　　产品系列：RF-HP
　　应用类型：高频、射频
　　ESR（等效串联电阻）：极低
　　Q 值：高
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　RoHS合规性：是

B82472G6332M 作为 TDK EPCOS RF-HP 系列的高端多层陶瓷电容器，具备卓越的高频性能和电气稳定性，特别适用于对信号完整性和能效要求极高的射频电路。其核心优势在于采用了专有的陶瓷配方和精密叠层工艺，使得该器件在高频环境下仍能维持极低的介质损耗（tan δ）和等效串联电阻（ESR），从而显著降低功率损耗，提升电路整体效率。这种低损耗特性对于射频功率放大器输出匹配网络、天线阻抗调谐以及高频滤波器设计尤为重要，能够有效减少发热并提高系统可靠性。
　　该电容器具有 ±0.1 pF 的超紧容差控制，确保了在批量生产中的一致性和精确性，这对于高频电路中需要精确阻抗匹配的应用至关重要。即使是微小的电容偏差也可能导致严重的信号反射或失配，影响系统性能，因此如此高精度的容差控制极大提升了设计裕量和成品率。此外，X7R 温度特性的采用意味着其电容值在 -55°C 到 +125°C 的宽温范围内变化不超过 ±15%，保证了在各种工作环境下的稳定性。
　　B82472G6332M 的 0402 小型化封装不仅节省了宝贵的 PCB 空间，还通过优化内部电极结构降低了寄生电感，进一步扩展了其有效工作频率范围，可稳定工作于数 GHz 频段，适用于 LTE、Wi-Fi 6/6E、5G 毫米波前端模块等先进无线通信系统。同时，该器件经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环和耐久性试验，确保在恶劣环境下的长期稳定性。其无磁性、无铅的设计也符合现代绿色电子制造标准，支持回流焊工艺，易于集成到自动化生产线中，是高性能射频电子产品中的理想选择。

B82472G6332M 主要应用于高频和射频电子系统中，尤其适合对电性能精度和稳定性要求极高的场景。典型应用包括智能手机和移动通信设备中的射频前端模块（FEM），用于功率放大器（PA）的输入输出匹配网络，以实现最佳阻抗匹配，提升发射效率和信号质量。此外，在无线局域网（WLAN）、蓝牙、Zigbee 和 NB-IoT 等物联网设备中，该电容器可用于天线调谐电路和滤波器设计，确保无线信号的高效传输与接收。
　　在基站和微波通信系统中，B82472G6332M 可用于构建高频 LC 滤波器、耦合电路和振荡器，因其低损耗和高 Q 值特性，有助于减少相位噪声并提高频率选择性。在雷达系统和卫星通信设备中，该器件也能发挥其高频稳定性的优势，用于毫米波频段的信号处理单元。此外，由于其出色的温度稳定性和长期可靠性，该电容器还广泛应用于汽车电子中的车载通信模块（如 V2X、Telematics）和高级驾驶辅助系统（ADAS）雷达传感器中。
　　在测试与测量仪器领域，如矢量网络分析仪（VNA）和频谱仪的前端电路中，B82472G6332M 被用作高精度校准元件或参考电容，以确保测量结果的准确性。其高精度容差和低老化率特性使其成为高频模拟电路设计中不可或缺的关键元件。无论是消费类电子产品还是工业级、汽车级应用，该器件都能提供一致且可靠的性能表现，满足现代高频电子系统日益增长的技术需求。

B82472G6331M
　　GRM0335C1H100JA01D
　　C0603C339F5GACTU