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B82464G4154M000 发布时间 时间:2025/12/27 12:54:30 查看 阅读:61

B82464G4154M000是TDK公司生产的一款高性能、高可靠性的EMI(电磁干扰)滤波器,主要用于抑制电子设备中的射频干扰和噪声信号,确保系统符合相关的电磁兼容性(EMC)标准。该器件属于多层片式铁氧体磁珠阵列(Ferrite Bead Array)类别,集成了多个独立的磁珠通道,适用于多线路信号或电源路径的噪声抑制。其设计紧凑,适合在空间受限的便携式电子产品中使用,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及工业控制和通信模块等。
  B82464G4154M000采用先进的陶瓷封装工艺与铁氧体材料技术,具有优异的高频噪声衰减能力,在宽频率范围内表现出稳定的阻抗特性。该元件特别适用于高速数字电路中常见的共模和差模噪声抑制,能够有效提升系统的信号完整性和抗干扰能力。此外,它具备良好的温度稳定性和长期可靠性,能够在严苛的工作环境下保持性能一致。作为TDK旗下EPIC (Embedded Passives and Integrated Circuits) 系列产品的一部分,B82464G4154M000体现了集成化、微型化和高性能的发展趋势,广泛应用于需要高密度布局和严格EMC要求的现代电子系统中。

参数

制造商:TDK
  系列:B82464
  滤波器类型:EMI滤波器阵列
  通道数:4
  安装类型:表面贴装(SMD)
  封装/外壳:1210(3225公制)
  工作温度范围:-55°C ~ +125°C
  额定电压:50V
  额定电流:100mA
  阻抗频率:100MHz时典型阻抗为150Ω ±30%
  谐振频率:约1GHz以上
  电容值:每通道典型寄生电容< 0.5pF
  ESR(等效串联电阻):低
  屏蔽类型:无源集成磁珠阵列
  RoHS合规性:符合

特性

B82464G4154M000具备出色的高频噪声抑制能力,其核心特性之一是在100MHz下提供150Ω的标称阻抗,能够在广泛的频率范围内有效吸收并耗散高频噪声能量,从而防止噪声通过电源线或信号线传播到其他电路部分。这种高阻抗特性使得该磁珠阵列非常适合用于去除开关电源、时钟线路、数据总线以及RF电路中产生的传导性电磁干扰。相较于传统的分立式电感或RC滤波器,B82464G4154M000在相同封装尺寸内实现了四个独立通道的集成,极大节省了PCB布局空间,同时减少了组件数量和装配复杂度,有助于提高整体系统可靠性。
  该器件采用多层陶瓷与铁氧体复合材料结构,内部导体经过精密印刷和烧结工艺形成螺旋状线圈,确保每个通道之间具有良好的电气隔离和较低的互感耦合。这不仅提升了通道间的串扰抑制能力,还保证了各个通道在高频下的独立工作稳定性。由于其极低的寄生电容(通常小于0.5pF),B82464G4154M000在高速信号路径中不会引起明显的信号失真或延迟,因此适用于USB、I2C、SPI、MIPI等高速数字接口的噪声滤波应用。
  另一个关键优势是其优异的温度和老化稳定性。即使在极端温度条件(-55°C至+125°C)下,其阻抗变化仍保持在合理范围内,确保系统在整个生命周期内的EMI性能一致性。此外,该元件具有较高的额定电压(50V)和持续电流承载能力(100mA),可适应多种电源轨和信号线路的应用需求。其表面贴装封装形式便于自动化贴片生产,支持回流焊工艺,兼容现代SMT制造流程。综合来看,B82464G4154M000是一款兼顾小型化、高性能与高可靠性的EMI滤波解决方案,适用于对EMC性能要求严格的消费类、工业类及通信类电子产品。

应用

B82464G4154M000广泛应用于各类需要高效电磁干扰抑制的电子系统中。常见应用场景包括移动通信设备,如智能手机和平板电脑中的射频前端模块、基带处理器供电线路以及摄像头接口等位置,用于消除高频噪声对敏感模拟电路的影响;在便携式医疗设备中,该滤波器可用于保障心率监测、血氧检测等微弱信号采集电路的信噪比和测量精度;在工业控制系统中,常被部署于PLC输入输出端口、传感器信号调理电路以及CAN/LIN总线通信线路中,以增强系统的抗干扰能力和运行稳定性。
  此外,该器件也适用于无线模块(如Wi-Fi、Bluetooth、Zigbee)的电源去耦和天线馈电路径滤波,防止本地振荡器泄漏或外部射频信号反向耦合造成干扰。在汽车电子领域,B82464G4154M000可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电网络以及车内联网通信接口中,满足汽车行业严格的EMC测试标准(如CISPR 25)。对于高密度FPGA或ASIC周边电路,该四通道磁珠阵列可用于多路I/O电源的独立滤波,实现精准的电源域隔离和噪声分区管理。总之,任何需要在有限空间内实现多通道高频噪声抑制的设计,都可以考虑使用B82464G4154M000作为优化EMI性能的关键元件。

替代型号

[
   "B82464G4151M000",
   "B82464G4221M000",
   "BLM18AG150SN1D",
   "DE2EA151JA0L"
  ]

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B82464G4154M000参数

  • 现有数量12,472现货
  • 价格1 : ¥15.42000剪切带(CT)750 : ¥7.59259卷带(TR)
  • 系列B82464G4
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 类型鼓芯,绕线式
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感150 μH
  • 容差±20%
  • 额定电流(安培)850 mA
  • 电流 - 饱和 (Isat)900mA
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)320 毫欧最大
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振4.5MHz
  • 等级AEC-Q200
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 电感频率 - 测试100 kHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳非标准
  • 供应商器件封装-
  • 大小 / 尺寸0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.189"(4.80mm)