B82464G2683M 时间：2025/12/27 11:48:39 阅读：18

B82464G2683M是TDK公司生产的一款高性能共模扼流圈（Common Mode Choke），主要用于抑制高速差分信号线路中的共模噪声，同时允许差模信号无阻碍通过。该器件属于EP系列共模滤波器，专为满足现代高速数据通信接口的电磁兼容性（EMC）要求而设计。B82464G2683M广泛应用于诸如USB 3.0、HDMI、DisplayPort、SATA等高速串行接口中，以提升系统的抗干扰能力并确保信号完整性。该共模扼流圈采用表面贴装（SMD）封装形式，具有小型化、低插入损耗、高共模抑制比和良好的热稳定性等特点，适用于空间受限且对性能要求较高的电子设备。其结构设计优化了绕组间的对称性和耦合度，从而在宽频率范围内提供出色的共模噪声滤波性能。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适合自动化大规模生产。B82464G2683M的工作温度范围较宽，能够在-40°C至+125°C的环境中稳定运行，适用于工业级和消费类电子产品。由于其优异的电气特性和可靠性，该型号被广泛用于笔记本电脑、平板显示器、机顶盒、网络设备以及车载信息娱乐系统等场景中，作为关键的EMI抑制元件。

参数

产品类型：共模扼流圈
　　电路类型：双路
　　电感值：68μH
　　额定电流：300mA
　　直流电阻（DCR）：最大1.3Ω
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　存储温度范围：-40°C ~ +150°C
　　引脚数：8
　　封装尺寸：7.0mm x 5.0mm x 4.0mm
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　屏蔽类型：有屏蔽
　　谐振频率：典型值大于1GHz
　　绝缘电压：500Vrms
　　耐压测试：AC 500V / 1分钟

特性

B82464G2683M具备卓越的共模噪声抑制能力，在高频段（通常从100MHz到3GHz）表现出极高的阻抗特性，能有效衰减由高速信号线产生的电磁干扰（EMI），防止其传导至其他电路部分或辐射到外部环境。其核心材料采用高性能铁氧体磁芯，具有高磁导率和低损耗特性，确保在宽频带内维持稳定的电感性能。器件内部采用精密对称绕组结构，极大降低了差模信号的不平衡性，避免因寄生不对称引起的信号失真或眼图闭合问题，这对于保持USB 3.0及以上速率接口的信号完整性至关重要。此外，该共模扼流圈在设计上优化了寄生参数控制，包括降低杂散电容和提高自谐振频率，使其在GHz级别的高速信号传输中仍能保持良好的滤波效果而不引入明显的插入损耗或反射。
　　该器件还具备较强的直流叠加能力，可在300mA额定电流下长期稳定工作，适用于需要一定功率传输能力的数据线应用，如带供电功能的USB Type-C接口。其低直流电阻（DCR ≤ 1.3Ω）有助于减少功耗和温升，提高系统能效。机械结构方面，B82464G2683M采用坚固的环氧树脂封装和镀锡铜端子，不仅增强了抗机械应力和热冲击的能力，也保证了良好的可焊性和长期连接可靠性。符合AEC-Q200汽车电子元器件可靠性测试标准，使其可用于车载电子系统。此外，该器件通过了严格的EMI认证测试，支持CISPR、FCC等国际电磁兼容规范，帮助终端产品顺利通过EMC认证。整体而言，B82464G2683M是一款集高性能、高可靠性和小型化于一体的先进共模滤波解决方案。

应用

B82464G2683M主要应用于各类高速差分信号接口的电磁干扰抑制，典型使用场景包括USB 3.0/3.1 Gen1/Gigabit等级接口的共模滤波，用于消除高速数据传输过程中产生的高频共模噪声，提升系统EMC性能。它也被广泛集成于HDMI 1.4/2.0、DisplayPort等高清音视频传输线路中，防止数字信号串扰和辐射发射超标，保障图像和声音质量的稳定性。在固态硬盘（SSD）、光驱及主板上的SATA接口电路中，该器件用于保护敏感的模拟前端免受共模干扰影响，提高数据读写可靠性。此外，在千兆以太网PHY与RJ45连接器之间的信号路径中，B82464G2683M可作为辅助滤波元件，增强网络通信的抗噪能力。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和智能电视中，该共模扼流圈常用于内部高速总线的噪声抑制，尤其是在紧凑布局导致走线难以完全屏蔽的情况下尤为重要。工业自动化设备、医疗成像装置以及车载信息娱乐系统（IVI）同样依赖此类高性能滤波器来满足严苛的电磁兼容要求。特别是在新能源汽车的车载显示模块和车载摄像头链路中，B82464G2683M能够有效应对复杂电磁环境下的干扰挑战，确保关键信号链路的稳定性与安全性。