时间：2025/12/27 12:40:40
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B82442T1223K050 是由 TDK 公司生产的一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），主要用于高频率和高可靠性要求的应用场景。该器件属于爱普科斯（EPCOS）产品系列，具备优异的电气性能和机械稳定性，广泛应用于通信设备、工业控制系统、汽车电子以及电源管理电路中。B82442T1223K050 采用紧凑型表面贴装封装，具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），适合在高频去耦、滤波和旁路应用中提供稳定的电容性能。该电容器采用镍障层金属化技术（Ni-barrier termination），增强了抗硫化能力，特别适用于恶劣环境下的长期运行。其标称电容值为22 nF（即0.022 μF），额定电压为500 V DC，电容公差为±10%（K级），满足IEC/EN 60384-1标准对高电压陶瓷电容器的要求。此外，该器件符合RoHS环保规范，并具备良好的焊接可靠性和热循环耐久性，能够在-55°C至+125°C的工作温度范围内稳定工作。由于其高电压耐受能力和小尺寸设计，B82442T1223K050常用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器和高压信号耦合电路中作为关键无源元件。
电容：22nF
容差：±10%
额定电压：500V DC
温度特性：X7R
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
封装尺寸：1812（4532）
介质材料：陶瓷
安装类型：表面贴装（SMD）
产品系列：B82442
制造商：TDK / EPCOS
抗硫化型号：是
终端类型：镍障层（Ni-barrier）
直流击穿电压：≥1000V
绝缘电阻：≥10000MΩ 或 R * C ≥ 500s
等效串联电阻（ESR）：低
等效串联电感（ESL）：低
B82442T1223K050 电容器具备出色的温度稳定性和电压耐受能力，其X7R型介电材料确保了在宽温度范围内（-55°C至+125°C）电容值变化不超过±15%，即使在极端环境条件下也能保持可靠的电气性能。该器件采用先进的多层叠膜工艺制造，实现了高电容密度与小型化设计的完美结合，在1812（4532）封装内集成多个陶瓷介质层，有效提升了单位体积的储能能力。其镍障层端子结构显著增强了抗硫化性能，防止因空气中硫化物侵蚀而导致的内部电极腐蚀，从而延长了产品在工业和户外环境中的使用寿命。此外，该电容器具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频噪声抑制和电源去耦应用中表现出色，能够快速响应瞬态电流变化，提升系统稳定性。
该器件通过AEC-Q200认证，适用于汽车电子应用，具备优异的热循环耐久性和机械强度，可承受多次回流焊过程而不损坏。其高绝缘电阻和低漏电流特性使其适用于高压信号耦合和精密模拟电路。同时，B82442T1223K050 符合RoHS和REACH环保指令，不含铅和其他有害物质，支持无铅焊接工艺。得益于TDK/EPCOS严格的质量控制体系，该电容器在批量生产和长期使用中表现出高度一致性与可靠性，是工业电源、医疗设备、通信基础设施和新能源系统中理想的高压陶瓷电容解决方案。
B82442T1223K050 广泛应用于需要高电压、高稳定性和高可靠性的电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于输入/输出滤波电路，有效抑制高频噪声并平滑电压波动，提升电源效率与电磁兼容性（EMC）。在DC-DC转换器中，该电容器作为输出去耦元件，可在负载突变时提供瞬时能量支持，维持输出电压稳定。在逆变器和电机驱动系统中，B82442T1223K050 被用于母线电压滤波和缓冲电路，帮助吸收电压尖峰并保护功率半导体器件。此外，该器件在工业自动化设备、PLC控制器和传感器模块中也发挥着重要作用，用于电源轨去耦和信号路径耦合。
在汽车电子领域，该电容器适用于车载充电机（OBC）、DC-DC变换器、电池管理系统（BMS）以及ADAS系统中的电源管理单元，凭借其抗硫化特性和宽温工作能力，在高温高湿及污染环境中仍能保持长期稳定运行。在通信基础设施中，如基站射频模块和光模块电源部分，B82442T1223K050 可用于高频旁路和局部去耦，降低电源阻抗，提高信号完整性。此外，该器件还适用于医疗电子设备、测试测量仪器和可再生能源系统（如太阳能逆变器）中的高压滤波与储能应用，展现出广泛的适用性和卓越的性能表现。
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"B82442S1223K050",
"C322C223K5RACTU",
"CC05K5X7R500C223",
"GRM32ER73E223KA120"
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