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B82442H1224K000 发布时间 时间:2025/12/22 16:08:42 查看 阅读:26

B82442H1224K000是EPCOS(现为TDK集团的一部分)生产的一款高性能多层陶瓷电容器(MLCC),专为高可靠性、高频及高电压应用设计。该器件属于EPCOS B82442系列,以其出色的电气性能和稳定性著称,广泛应用于工业电源、通信设备、汽车电子以及医疗设备等对元器件质量要求极高的领域。这款电容器采用先进的陶瓷材料与制造工艺,能够在极端环境条件下保持稳定的电容值和低损耗特性。其额定电压为100V DC,标称电容为0.22μF(即220nF),容差为±10%(K级),适用于需要精确滤波、耦合或旁路功能的电路中。此外,该型号具备良好的温度稳定性,使用X7R型介电材料,在-55°C至+125°C的宽温度范围内,电容变化不超过±15%,确保在各种工作环境下都能维持可靠性能。封装形式为小型表面贴装(SMD),典型尺寸为1210(3225公制),便于自动化贴片装配,适合高密度PCB布局。
  B82442H1224K000还具有低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL),这使其在高频去耦和噪声抑制方面表现出色。特别是在开关电源、DC-DC转换器和射频电路中,能有效减少电压波动和电磁干扰。该器件符合RoHS环保标准,并通过AEC-Q200认证,适用于严苛的汽车电子环境。由于其高耐压、小体积和优异的热稳定性,B82442H1224K000常被用于替代传统钽电容或铝电解电容,在提升系统可靠性的同时减小整体尺寸。

参数

制造商:TDK / EPCOS
  产品系列:B82442
  电容:0.22 μF
  容差:±10%
  额定电压:100 VDC
  介电材料:X7R
  工作温度范围:-55°C ~ +125°C
  温度特性:ΔC/C ≤ ±15%
  封装/外壳:1210(3225公制)
  安装类型:表面贴装(SMD)
  层数结构:多层陶瓷
  ESR(典型值):< 10 mΩ(频率相关)
  ESL(典型值):< 1 nH
  老化率:≤2.5%/decade(X7R材料典型值)
  抗湿性:符合IEC 60068-2-67标准
  焊接耐热性:符合J-STD-020标准
  RoHS合规性:是
  AEC-Q200认证:是

特性

B82442H1224K000所采用的X7R介电材料是一种稳定型铁电陶瓷,具有优异的温度稳定性和较低的老化速率,能够在-55°C到+125°C的宽温范围内保持电容值的变化不超过±15%。这种稳定性使其非常适合用于精密模拟电路、电源反馈环路以及高温环境中工作的模块。X7R材料相较于Y5V等高介电常数材料虽然介电常数较低,但其温度依赖性更小,避免了在低温或高温下电容大幅下降的问题。此外,该电容器采用了多层结构设计,通过交替堆叠内电极与陶瓷介质层,显著提升了单位体积内的有效电容密度,同时降低了等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)。这种低寄生参数特性使得它在高频去耦应用中表现尤为突出,能够快速响应瞬态电流变化,抑制电源噪声,提高系统的电磁兼容性(EMC)。
  该器件经过严格的制造流程控制,具备出色的机械强度和抗热冲击能力,能够承受回流焊过程中的高温循环而不发生开裂或性能退化。其端电极采用镍阻挡层和锡镀层结构,提供良好的可焊性和长期可靠性,防止银离子迁移导致的短路风险。此外,B82442H1224K000通过了AEC-Q200应力测试认证,表明其满足汽车级电子元件的可靠性要求,适用于发动机控制单元(ECU)、车载信息娱乐系统和ADAS传感器等关键系统。在高湿度环境下,该电容也表现出优良的防潮性能,符合IEC 60068-2-67规定的湿热循环测试标准,确保长期运行中的绝缘电阻稳定。由于其无磁性材料构造,不会对周边敏感电路造成磁场干扰,适用于高精度测量仪器和射频前端模块。总体而言,B82442H1224K000是一款集高可靠性、高性能与小型化于一体的高端MLCC,适用于对稳定性与寿命有严格要求的应用场景。

应用

B82442H1224K000因其高电压额定值、稳定的温度特性和低寄生参数,被广泛应用于多个高端电子领域。在工业电子中,常用于PLC控制器、变频器和工业电源模块中的输入/输出滤波电路,作为直流母线旁路电容以平滑电压波动并吸收高频噪声。在通信基础设施中,如基站射频单元和光模块,该电容用于电源轨去耦,保障高速信号链路的稳定性。在汽车电子方面,得益于其AEC-Q200认证和宽温工作能力,被大量应用于车载逆变器、电池管理系统(BMS)、LED驱动电源以及高级驾驶辅助系统(ADAS)中的摄像头和雷达模块供电路径中,起到稳压和滤波作用。此外,在医疗设备如便携式监护仪、超声成像系统中,该电容用于模拟前端电源净化,确保信号采集的准确性。在消费类高端电子产品中,例如服务器主板、高性能GPU供电网络,也可用作局部去耦电容,配合其他陶瓷电容形成多级滤波网络,提升电源完整性(Power Integrity)。由于其100V耐压等级,还可用于一些中等电压的DC-DC转换器次级侧输出滤波,替代体积更大的电解电容,从而节省空间并提高系统可靠性。总之,该器件适用于任何需要高稳定性、小尺寸、高耐压和良好高频响应的去耦、滤波、耦合或储能应用场景。

替代型号

GRM32DR71H224KA12L
  CL31A224KAFNNNE
  C322C224K1RACTU
  CC0603KRX7R9BB224

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B82442H1224K000参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SIMID
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • 类型鼓芯,绕线式
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感220 μH
  • 容差±10%
  • 额定电流(安培)240 mA
  • 电流 - 饱和 (Isat)-
  • 屏蔽无屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)2.72 欧姆最大
  • 不同频率时 Q 值20 @ 796kHz
  • 频率 - 自谐振3.9MHz
  • 等级AEC-Q200
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 电感频率 - 测试796 kHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳2-SMD,J 形引线
  • 供应商器件封装2220(5650 公制)
  • 大小 / 尺寸0.220" 长 x 0.197" 宽(5.60mm x 5.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.209"(5.30mm)