型号：B82432C1103K
　　制造商：EPCOS (TDK)
　　电容值：10nF (103表示10 × 103 pF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　电介质类型：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装/尺寸：0805 (2012 公制)
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C 至 +125°C)
　　安装类型：表面贴装 (SMD)
　　引脚数：2
　　产品系列：B82432
　　RoHS合规：是

B82432C1103K所采用的X7R型多层陶瓷电介质材料赋予了其出色的温度稳定性和长期可靠性。X7R是一种稳定的铁电材料，能够在宽温度范围内保持相对恒定的电容值，这对于在恶劣环境或温度波动较大的应用中维持电路性能至关重要。例如，在电源去耦电路中，电容值的稳定性直接影响到噪声抑制能力和电压纹波的控制效果。该器件在-55°C到+125°C的工作温度区间内，电容变化被严格控制在±15%以内，这使其优于许多Z5U或Y5V类电容器，后者在温度变化时电容值波动可能超过±20%甚至更高。
　　B82432C1103K的结构采用先进的多层叠片工艺，通过交替堆叠陶瓷介质和内电极（通常为镍或铜）形成多个并联的电容单元，从而在小尺寸下实现较高的有效电容。这种结构不仅提高了单位体积的电容密度，还降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有利于高频去耦和快速瞬态响应。0805封装在提供足够机械强度的同时，也便于自动化贴片生产，适用于回流焊工艺，具备良好的焊接可靠性和抗热冲击能力。
　　该电容器的电压系数较低，意味着在接近额定电压工作时电容值下降不明显，这对于需要在接近50V工作电压下保持稳定性能的应用尤为重要。此外，其良好的绝缘电阻和低漏电流特性有助于减少静态功耗，提高系统能效。B82432C1103K还具备较强的抗老化能力，电容值随时间推移的变化率较小，确保了产品在整个生命周期内的性能一致性。这些综合特性使其成为工业级和汽车级电子系统中理想的通用型电容解决方案。

B82432C1103K因其可靠的电气性能和宽温工作能力，广泛应用于多个电子领域。在电源管理电路中，它常用于DC-DC转换器的输入和输出端进行去耦和滤波，有效抑制高频噪声和电压波动，提升电源稳定性。在模拟信号处理电路中，该电容器可用于级间耦合和旁路，阻隔直流分量同时允许交流信号通过，确保信号链的完整性。在数字系统中，如微控制器、FPGA或ASIC的供电引脚附近，B82432C1103K作为局部储能元件，可快速响应芯片瞬态电流需求，降低电源阻抗，防止因电压跌落导致的误操作。
　　在通信设备中，该器件可用于射频前端模块的偏置网络或滤波网络，配合电感构成LC谐振电路，实现频率选择或阻抗匹配。其稳定的X7R特性确保了在不同环境温度下电路参数的一致性，避免通信性能漂移。在工业控制系统中，如PLC、传感器接口和电机驱动器，B82432C1103K用于抗干扰滤波和信号调理，提高系统的抗电磁干扰（EMI）能力。此外，得益于其-55°C至+125°C的宽工作温度范围，该电容器也适用于汽车电子应用，如车身控制模块、车载信息娱乐系统和辅助驾驶系统中的电源去耦和信号滤波，满足AEC-Q200等车规级可靠性要求。消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居设备同样大量采用此类MLCC，以实现小型化和高集成度设计。

C1206C103K5RACTU
　　CL21A103KAQNNNE
　　GRM21BR71H103KA01