B82432A1182K 时间：2025/12/27 13:04:44 阅读：17

B82432A1182K 是由 TDK 公司生产的一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），主要用于射频（RF）和高频电路中的匹配网络、滤波器以及去耦应用。该器件采用先进的材料和制造工艺，具备优异的高频特性和稳定性，特别适用于要求高可靠性和小尺寸的现代电子设备中。B82432A1182K 的标称电容值为 1.8 nF（182 表示 1.8 × 102 pF），额定电压为 100 V DC，适用于在高温、高湿及振动环境下稳定工作。其封装尺寸为 0603（公制 1608），符合 EIA 标准，便于自动化贴装和回流焊工艺。该电容器属于 C0G（NP0）温度系数类型，具有极低的介电损耗和几乎不受温度变化影响的电容稳定性，是替代传统引线式电容的理想选择。此外，B82432A1182K 符合 RoHS 指令和 REACH 法规要求，适用于消费类电子产品、通信设备、工业控制系统以及汽车电子等领域。

参数

型号：B82432A1182K
　　电容值：1.8 nF (182)
　　容差：±10%
　　额定电压：100 V DC
　　温度特性：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0603 (1608 公制)
　　介质材料：陶瓷 (Class I, C0G/NP0)
　　直流电阻（DCR）：典型值低于 100 mΩ
　　自谐振频率（SRF）：典型值约 500 MHz（具体取决于布局）
　　ESR（等效串联电阻）：极低，典型值 < 10 mΩ
　　 ESL（等效串联电感）：极低，典型值 < 0.3 nH

特性

B82432A1182K 采用 C0G（也称 NP0）一类陶瓷介质材料，具备极高的电容稳定性，在整个工作温度范围内（-55°C 至 +125°C）电容值的变化不超过 ±30 ppm/°C，确保了在高频和高温环境下的可靠性能。这种材料具有几乎线性的温度响应，且不随施加电压、时间或偏置电压发生明显变化，因此非常适合用于对精度要求极高的谐振电路、滤波器和定时应用。
　　该器件的 0603 小型化封装使其能够在空间受限的高密度 PCB 设计中广泛应用，同时保持良好的焊接可靠性和机械强度。其多层结构设计有效降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而提升了高频性能，使其在 GHz 频段内仍能保持较高的阻抗控制能力。这对于射频前端模块、天线匹配网络和高速数字信号去耦至关重要。
　　由于使用了贵金属电极（如银钯合金）和高纯度陶瓷材料，B82432A1182K 具备出色的耐湿性和长期可靠性，即使在恶劣的环境条件下也能维持稳定的电气性能。产品经过严格的寿命测试和加速老化试验，符合 AEC-Q200 汽车级认证标准，适用于车载信息娱乐系统、ADAS 传感器和电源管理单元。
　　此外，该电容器支持无铅回流焊接工艺，兼容主流 SMT 生产流程，并具备良好的抗热冲击性能。其低失真和高 Q 值特性使其成为 RF 放大器旁路、LC 振荡器和带通滤波器中的理想元件。整体而言，B82432A1182K 在高频稳定性、尺寸紧凑性与环境适应性之间实现了良好平衡，满足现代电子系统对高性能被动器件的需求。

应用

B82432A1182K 广泛应用于需要高频率稳定性和低损耗的电子电路中。在无线通信领域，它常用于手机、Wi-Fi 模块、蓝牙设备和蜂窝基站中的射频匹配网络，作为阻抗调谐和信号滤波的关键组件。其 C0G 特性确保在不同温度下电容值几乎不变，从而保障通信链路的稳定性与效率。
　　在消费类电子产品中，该电容器被广泛用于高清电视、机顶盒、可穿戴设备和智能家居系统的电源去耦和噪声抑制电路中，有效提升系统信噪比和电磁兼容性（EMC）。其小型封装适合紧凑型设计，有助于缩小终端产品体积。
　　在工业和汽车电子方面，B82432A1182K 可用于传感器信号调理电路、DC-DC 转换器输出滤波、电机驱动控制器以及车载雷达和摄像头模组中，提供可靠的高频去耦和瞬态响应支持。由于通过 AEC-Q200 认证，其在汽车引擎舱或电池管理系统等高温环境中表现尤为出色。
　　此外，在测试测量仪器、医疗电子设备和航空航天电子系统中，该电容因其高精度和长期稳定性而被用于精密振荡器、时钟生成电路和模拟滤波器中，确保关键功能模块的准确运行。