型号：B81133C1224M
　　制造商：TDK
　　器件类型：EMI滤波器阵列 / 磁珠阵列
　　通道数：4通道
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　封装尺寸：1.0mm x 0.6mm（EIA 0402兼容）
　　高度：约0.5mm
　　额定电流：每个通道最大100mA
　　直流电阻（DCR）：典型值50mΩ每通道
　　阻抗频率范围：测试频率100MHz时阻抗为60Ω±25%
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　焊接方式：回流焊（符合J-STD-020标准）
　　环保属性：无铅、无卤素、符合RoHS指令

B81133C1224M具备卓越的电磁干扰（EMI）抑制能力，尤其在高频段表现出色，能够在100MHz至数GHz范围内提供稳定的阻抗特性，有效滤除高速信号线上的共模噪声。其多层陶瓷结构结合铁氧体材料，使得器件在高频下呈现高阻抗，将噪声能量以热的形式耗散，同时对差分信号路径的影响最小化，保障了信号完整性和传输速率。该磁珠阵列采用微型化设计，尺寸仅为1.0mm × 0.6mm，适用于空间受限的高密度PCB布局，特别适合用于移动终端中的USB、HDMI、MIPI、LVDS等高速接口线路的噪声抑制。四个独立通道允许用户同时处理多条信号线，极大提升了布板效率和EMI解决方案的集成度。每个通道具有低直流电阻（典型50mΩ），确保在长时间通流情况下温升较小，提高了系统整体的可靠性和能效。此外，该器件具备优异的温度稳定性，在宽温范围内（-55°C至+125°C）性能波动小，适用于车载电子、工业控制等恶劣环境。B81133C1224M还通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿存储、温度循环、机械冲击和振动测试，确保在复杂工况下的长期稳定运行。其材料体系符合国际环保标准，不含铅、镉、六价铬等有害物质，支持绿色电子产品设计。
　　值得一提的是，该元件在高频去耦和电源噪声滤波方面也有良好表现，可用于局部电源网络的二次滤波，配合去耦电容形成复合滤波网络，进一步降低电源纹波和开关噪声。由于其结构对称且寄生参数控制良好，不会引入明显的信号延迟或反射，避免了因滤波元件导致的时序问题。对于高速数字系统而言，这种低侵入性的噪声抑制方案尤为重要。此外，TDK在该系列产品中采用了先进的仿真建模技术，确保产品在实际应用中的性能可预测性强，便于工程师进行前期设计验证和EMC预兼容测试。总体而言，B81133C1224M是一款集小型化、高性能、高可靠性和环保于一体的EMI抑制解决方案，满足现代电子设备对电磁兼容性和小型化的双重需求。

B81133C1224M主要应用于各类需要高效电磁干扰抑制的便携式电子设备和高频通信系统中。常见应用场景包括智能手机和平板电脑中的摄像头模组、显示屏接口（如MIPI DSI/CSI）、触摸屏信号线以及无线通信模块（Wi-Fi、蓝牙、5G RF前端）的噪声滤波。在这些应用中，高速信号切换会产生丰富的谐波成分，容易引发串扰或对外辐射超标，使用该磁珠阵列可显著改善系统的EMC性能。此外，它也广泛用于可穿戴设备（如智能手表、TWS耳机）中，因其超小型封装非常适合有限空间内的精密布局。在工业自动化领域，该器件可用于PLC控制器、传感器信号调理电路和工业HMI设备中，防止外部电磁干扰影响控制信号的准确性。在汽车电子方面，B81133C1224M可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器接口和车内无线充电模块，帮助满足严格的车载EMC标准（如CISPR 25）。同时，该元件也可用于物联网终端设备、无线基站模块和消费类无人机等产品中，作为关键的EMI对策元件，确保设备在密集电磁环境中稳定运行。无论是用于数据线滤波、时钟信号净化还是局部电源去噪，B81133C1224M都能提供可靠的噪声抑制效果，是现代高频电子系统中不可或缺的被动元件之一。

BLM18AG600SN1D
　　DLW21HN600SQ2L
　　ACM4520-600-T000