B81130C1104M 时间：2025/12/27 12:57:13 阅读：12

B81130C1104M是EPCOS（现为TDK集团成员）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC），属于表面贴装器件（SMD）类别，广泛应用于各类电子电路中。该器件采用X7R介电材料，具有良好的温度稳定性和较高的体积效率，适用于需要稳定电容值且工作环境温度变化较大的场合。其标称电容值为100nF（即0.1μF），额定电压为50V DC，电容公差为±20%，尺寸封装为0805（英制），即2012（公制），适合高密度PCB布局。该型号常用于去耦、滤波、旁路和信号耦合等应用。B81130C1104M遵循RoHS环保标准，无铅可焊，符合现代电子产品对环保和可靠性的要求。由于其稳定的电气性能和紧凑的外形，该电容器被广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。

参数

电容值：100nF
　　容差：±20%
　　额定电压：50V DC
　　介电材料：X7R
　　温度特性：-55°C 至 +125°C
　　电容温度系数：±15% 在整个温度范围内
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.2mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　直流电阻（DCR）：低
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C·V ≥ 100MΩ·μF
　　老化率：典型值<2.5% 每十年
　　最大纹波电流：依据应用条件而定
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS, AEC-Q200（部分批次）

特性

B81130C1104M采用X7R型陶瓷介质，具备优异的温度稳定性，在-55°C至+125°C的宽温范围内，电容值的变化不超过±15%，这使其非常适合在环境温度波动较大的工业或汽车应用中使用。与Y5V等其他介电材料相比，X7R在温度变化下的电容保持率更高，虽然其介电常数略低于Y5V，但稳定性显著提升，因此更适合用于对电容稳定性有要求的滤波和去耦电路。
　　该电容器采用多层结构设计，通过交替堆叠陶瓷介质和内电极（通常为镍或铜）实现高电容密度，在0805小型封装内实现100nF的电容值，极大地节省了PCB空间，适应现代电子产品小型化、高集成度的发展趋势。其表面贴装封装形式便于自动化贴片生产，提高了组装效率和产品一致性。
　　B81130C1104M具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使其在高频去耦应用中表现出色，能够有效滤除电源线上的高频噪声，提升系统稳定性。此外，该器件具有良好的耐湿性和机械强度，经过优化的端电极设计增强了抗热冲击和焊接裂纹的能力，提升了长期使用的可靠性。
　　该型号符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，支持无铅回流焊工艺，满足现代绿色电子制造的要求。部分批次还通过了AEC-Q200车规认证，可用于汽车电子系统中的电源管理模块、传感器接口和信息娱乐系统等，体现出其在严苛环境下的可靠表现。

应用

B81130C1104M广泛应用于多种电子系统中，尤其适合作为电源去耦电容，用于集成电路（如MCU、FPGA、ASIC）的电源引脚附近，以滤除高频噪声并稳定供电电压。在DC-DC转换器、LDO稳压器的输入和输出滤波电路中，该电容器可有效平滑电压波动，提高电源质量。
　　在模拟信号链路中，它可用于交流耦合和滤波，例如在音频放大器、ADC/DAC前端电路中作为隔直电容，确保信号传输的完整性。其稳定的电容特性也使其适用于定时电路、振荡器旁路以及反馈网络中，帮助维持电路参数的稳定性。
　　在工业控制系统中，该器件可用于PLC模块、传感器信号调理电路和通信接口（如RS-485、CAN总线）的滤波，增强系统的抗干扰能力。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中，B81130C1104M用于主板电源管理单元和射频模块的去耦，保障设备稳定运行。
　　此外，由于其宽温特性和高可靠性，该电容器也被用于汽车电子应用，包括车身控制模块、车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电等场景。在通信基础设施设备如路由器、交换机和基站中，它同样发挥着关键的滤波和去耦作用，确保高速信号处理的稳定性。