型号：B7950
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：650 V
　　漏极电流（Id）@25°C：38 A
　　漏极电流（Id）@100°C：24 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻Rds(on) @10V Vgs：70 mΩ（最大值）
　　导通电阻Rds(on) @10V Vgs：60 mΩ（典型值）
　　阈值电压（Vth）：3.0 V ~ 4.5 V
　　栅极电荷（Qg）@10V Vgs：135 nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：3420 pF @ 25°C
　　输出电容（Coss）：192 pF @ 25°C
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　反向恢复电荷（Qrr）：155 nC
　　最大结温（Tj）：150 °C
　　封装类型：TO-247

B7950采用Infineon独有的TrenchStop 5技术，这项技术通过优化硅基结构中的电场分布，显著提升了器件的耐压能力和开关速度。其核心优势在于实现了超低的导通电阻与优异的开关性能之间的最佳平衡，使得在高功率密度设计中能够大幅降低传导损耗和开关损耗。特别是在连续导通模式PFC电路中，B7950表现出极低的总损耗，有助于提高整体能效并减少散热需求。该器件具有较低的栅极电荷（Qg），这意味着驱动电路所需的功耗更低，同时也加快了开关响应速度，适合高频操作场景。同时，其输出电容（Coss）较小，进一步降低了关断过程中的能量损耗。B7950还具备出色的抗雪崩能力，增强了在异常工作条件下的鲁棒性，例如在负载突变或短路情况下仍能保持可靠运行。该MOSFET的体二极管具有快速反向恢复特性，反向恢复电荷（Qrr）仅为155nC，反向恢复时间（trr）为45ns，这有效减少了交叉导通风险，尤其是在LLC谐振变换器或桥式拓扑中，避免了额外的电流尖峰和电磁干扰问题。此外，B7950的工作结温可达150°C，支持宽范围的环境温度应用，并且符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质。其TO-247封装形式不仅提供了优良的电气隔离性能，还具备出色的热传导路径，便于集成到风冷或液冷冷板系统中，确保长时间高负荷运行下的热稳定性。
　　B7950的设计充分考虑了现代电源系统对效率、可靠性和紧凑性的多重需求。在实际应用中，它常被用于构建高效AC-DC和DC-DC转换器，尤其适用于需要满足80 PLUS钛金能效等级的高端电源产品。由于其高度集成的技术特性，工程师可以在不牺牲性能的前提下简化外围电路设计，例如减小驱动电阻或省去缓冲网络，从而降低成本和PCB空间占用。此外，B7950与其他同系列器件具有良好的引脚兼容性和参数一致性，便于进行产品升级或批量替换。英飞凌为其提供了完整的技术支持文档，包括SPICE模型、应用笔记和热仿真数据，帮助开发者快速完成系统建模与验证。总之，B7950是一款面向中高端市场的高性能功率MOSFET，凭借其先进的工艺、稳定的电气特性和强大的环境适应能力，成为众多工业和通信电源设计的理想选择。

B7950广泛应用于各类高效率、高功率密度的电源系统中，典型用途包括工业用开关电源（SMPS）、服务器和数据中心电源单元（PSU）、电信整流模块、太阳能微型逆变器、UPS不间断电源、电动车辆充电设备以及工业电机驱动中的DC-DC升压级。在连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）电路中，B7950因其低Rds(on)和快速开关特性而成为首选器件，能够显著提升系统整体能效并满足严格的能效认证标准，如80 PLUS Titanium。此外，它也适用于图腾柱PFC拓扑结构，在这类新兴高效架构中发挥着关键作用。在反激式和正激式转换器中，B7950可用于主开关管，以实现更高的开关频率和更小的磁性元件体积。在全桥或半桥LLC谐振转换器中，其快速体二极管和低Qrr特性有助于减少死区时间内的环流损耗，提升轻载效率。由于其高耐压（650V）和强健的热性能，B7950也能胜任在电网波动较大或环境温度较高的恶劣工况下稳定运行的任务。在新能源领域，如光伏储能系统的DC-AC逆变环节，B7950可用于直流侧升压阶段，将电池或太阳能板输出电压提升至母线电压水平。同时，该器件也被用于各类高功率LED驱动电源、医疗电源以及铁路交通电源系统中，展现出广泛的适用性和长期运行的可靠性。

IKW75N65RH5,IPP75N65R