型号：B7935
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：14A（在TC=25°C时）
　　脉冲漏极电流(IDM)：56A
　　导通电阻(RDS(on))：最大8.5mΩ（在VGS=10V时）
　　导通电阻(RDS(on))：最大11mΩ（在VGS=4.5V时）
　　阈值电压(Vth)：典型值1.5V，范围1.0V~2.5V
　　输入电容(Ciss)：约1900pF（在VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz时）
　　输出电容(Coss)：约600pF
　　反向恢复时间(trr)：约20ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8 Power Package (带裸露焊盘)
　　安装类型：表面贴装(SMD)

B7935的最显著特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V条件下，RDS(on)最大仅为8.5mΩ，在VGS=4.5V时也仅为11mΩ。这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，尤其适用于大电流应用场景，如电池供电系统的负载开关或同步整流器。低RDS(on)不仅提升了整体能效，还有助于减少发热，从而降低散热设计复杂度。
　　其次，B7935具备优异的开关性能。其输入电容和输出电容较小，配合较低的栅极电荷（Qg），使得器件能够在高频开关电路中实现快速开启与关断，有效减少开关过程中的能量损耗。这对于提高DC-DC转换器的工作频率和功率密度至关重要。同时，较短的反向恢复时间（trr）减少了体二极管在反向恢复期间的能量损耗，避免了因寄生电感引起的电压尖峰，增强了系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　该器件还采用了ROHM专有的沟槽结构和工艺优化技术，实现了在小尺寸封装下仍具备良好的热传导能力。SOP-8封装底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的大面积敷铜将热量迅速导出，从而提升器件的持续工作电流能力。此外，B7935支持逻辑电平驱动，可在4.5V甚至更低的栅极电压下完全导通，因此非常适合与现代低压微处理器或逻辑IC直接接口，无需额外的电平转换或专用驱动芯片。
　　在可靠性方面，B7935经过严格测试，具备较高的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护能力，能够在瞬态过压、负载突变或电源波动等异常工况下保持稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）也确保了在工业级和汽车级应用中的适应性。综合来看，B7935凭借其低导通损耗、高速开关、良好热性能和高可靠性，成为中小功率电源系统中理想的功率开关元件。

B7935广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子设备中。在便携式消费类电子产品中，它常被用作电池管理系统中的负载开关或电源路径控制器，用于在不同电源模式之间切换，或切断闲置模块的供电以延长续航时间。由于其低RDS(on)和逻辑电平驱动特性，特别适合集成在智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源管理单元中。
　　在DC-DC转换器拓扑中，B7935可用于同步降压（Buck）或升压（Boost）电路中的主开关或同步整流器。其快速开关响应和低导通损耗有助于提高转换效率，尤其是在轻载和中等负载条件下表现优异。该器件也适用于多相电压调节模块（VRM），为高性能CPU或GPU提供稳定的供电。
　　此外，B7935还可用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为低端或高端开关使用。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其能在频繁启停和大电流冲击下可靠运行。
　　在工业控制领域，B7935可用于PLC输入/输出模块、传感器电源开关、继电器替代电路以及LED驱动电源中。其表面贴装封装便于自动化生产，且有助于缩小整体系统体积。同时，该器件也可用于UPS（不间断电源）、电信电源模块和电池充电器等设备中，作为主功率开关或防反接保护元件。得益于其高可靠性与宽温度范围，B7935同样适用于部分汽车电子应用，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助电源系统等。

RJK03B9DP
　　SiSS108DN
　　AOZ5238EQI-01