B7835 时间：2025/12/27 12:20:42 阅读：11

B7835是一款由英飞凌（Infineon） Technologies推出的高性能硅n沟道功率MOSFET，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的Trenchstop技术，具备低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和优化的栅极电荷特性，适用于各种电源转换系统。B7835特别适合在DC-DC转换器、同步整流、电机驱动以及开关模式电源（SMPS）中使用。其封装形式为PG-HSOF-5，是一种小型化表面贴装封装，有助于节省PCB空间并提升功率密度。该MOSFET在设计上兼顾了热性能与电气性能，能够在高温环境下稳定运行，并具备良好的抗雪崩能力和可靠性。此外，B7835符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子制造的要求。由于其优异的动态和静态参数，B7835广泛应用于工业控制、电信电源、消费类电子及可再生能源系统等领域。

参数

型号：B7835
　　制造商：Infineon Technologies
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：100 V
　　连续漏极电流ID：42 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：168 A
　　导通电阻RDS(on)：max 6.5 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 21 A
　　栅极阈值电压VGS(th)：2.0 V ~ 3.0 V
　　栅极电荷Qg：47 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容Ciss：2800 pF @ VDS = 50 V
　　反向恢复时间trr：28 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装：PG-HSOF-5

特性

B7835的核心特性源于其基于Trenchstop技术的先进工艺设计，这种深沟槽结构显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提升了整体能效。其极低的导通电阻RDS(on)仅为6.5毫欧，在大电流应用中可有效减少I2R损耗，降低温升，提高系统可靠性。同时，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），使得在高频开关操作下所需的驱动功率更小，有利于简化驱动电路设计并提升转换效率。B7835还具备出色的电容特性，包括较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），这不仅减少了开关过程中的能量损耗，还改善了器件在高频下的响应能力。此外，其反向恢复时间短至28纳秒，意味着体二极管的恢复行为非常迅速，能够有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），尤其在硬开关或同步整流拓扑中表现优异。
　　B7835的热性能同样出色，得益于PG-HSOF-5封装的优化散热设计，其结到外壳的热阻（RthJC）非常低，可在高负载条件下有效传导热量，延长器件寿命。该器件支持高达+175°C的最大结温，适应严苛的工作环境。在可靠性方面，B7835经过严格测试，具备优良的抗雪崩能力，能够在瞬态过压事件中保持稳定，避免因电压应力导致的早期失效。此外，其栅极氧化层设计增强了抗静电放电（ESD）能力，提高了生产过程中的良率和现场使用的稳定性。所有这些特性共同使B7835成为高性能电源系统中理想的功率开关元件。

应用

B7835广泛应用于对效率和功率密度要求较高的电力电子系统中。其主要应用场景包括但不限于：服务器和通信设备中的高效率DC-DC降压变换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）架构中作为上下桥臂开关使用；工业电源系统中的隔离式和非隔离式转换器，如LLC谐振变换器和硬开关全桥拓扑；电动汽车车载充电机（OBC）和辅助电源单元（APU）中的同步整流电路；太阳能逆变器和储能系统的直流母线开关模块；以及高端消费电子产品中的高效适配器和电源模块。由于其优异的高频特性和低损耗表现，B7835也常用于高频开关电源（SMPS）设计中，以实现更高的功率密度和更低的热管理成本。此外，在电机驱动领域，尤其是在大电流PWM控制场景下，B7835能够提供快速响应和低功耗切换，确保驱动系统的动态性能和长期稳定性。其小型化表面贴装封装还使其适用于自动化贴片生产线，满足现代大批量制造的需求。