产品系列：B78302
　　电感值：8.5 nH
　　允许偏差：±0.3 nH
　　额定电流（Ir）：500 mA
　　直流电阻（DCR）：典型值 180 mΩ
　　自谐振频率（SRF）：≥ 6.5 GHz
　　Q值（典型）：≥ 45 @ 1 GHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装尺寸（英寸）：0806（2.0 mm × 1.6 mm）
　　高度（最大）：1.0 mm
　　端电极材料：Ni/Sn 或银钯合金（AgPd）
　　焊接耐热性：符合JEDEC J-STD-020标准
　　磁屏蔽类型：非屏蔽（空心或低磁漏设计）

B78302A8545A3 多层片式陶瓷电感器采用了 TDK 先进的低温共烧陶瓷（LTCC, Low Temperature Co-fired Ceramic）技术，结合精细金属浆料印刷工艺，在微型化的同时实现了优异的高频性能表现。其核心优势之一是具备高达 6.5 GHz 以上的自谐振频率（SRF），这意味着它能够在 GHz 级别的射频应用中有效工作而不会因寄生电容导致性能下降。同时，该器件在 1 GHz 频率下可提供不低于 45 的 Q 值，显著提升了信号选择性和能量传输效率，特别适用于需要高选择性滤波或阻抗匹配的射频前端电路。
　　该电感器具有极低的直流电阻（DCR），典型值仅为 180 毫欧，这不仅减少了功率损耗，还提高了整体电路的能效，尤其适合电池供电设备中的电源去耦和 RF 匹配网络。其 ±0.3 nH 的严格公差保证了批次间的一致性，有利于自动化贴片生产和后期校准调试。此外，由于采用稳定可靠的陶瓷基体结构，B78302A8545A3 在宽温范围内（-40°C 至 +125°C）表现出良好的温度系数特性，电感值漂移小，确保系统长期运行的稳定性。
　　机械方面，该器件具备良好的抗机械应力能力，能够承受回流焊过程中的热冲击而不发生开裂或性能劣化。其端电极经过优化设计，兼容标准 SMT 工艺流程，并可通过 AOI（自动光学检测）进行焊接质量评估。虽然为非屏蔽结构，但通过优化内部线圈布局降低了电磁辐射干扰，适用于高密度集成环境。整体来看，B78302A8545A3 是一款面向高端无线通信应用的高度集成化、高性能射频电感解决方案。

B78302A8545A3 主要应用于高频及射频电路中，广泛服务于现代无线通信系统和便携式消费类电子产品。典型应用场景包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的射频前端模块（RF Front-End Module），用于实现天线调谐、阻抗匹配网络以及带通滤波器等功能，以提升信号接收灵敏度和发射效率。此外，该电感器也常用于 Wi-Fi、蓝牙、ZigBee 和 UWB（超宽带）等短距离无线通信系统的射频匹配电路中，帮助优化天线性能并减少信号反射损耗。
　　在射频识别（RFID）系统中，B78302A8545A3 可作为标签或读写器电路中的关键元件，参与构建谐振回路，确保在特定频率下实现高效能量传输与数据交换。其高Q值和窄公差特性有助于提高系统的识别距离与稳定性。此外，该器件还可用于各类高频模拟电路，如低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）偏置电路、LC 振荡器和谐波抑制电路中，发挥其优良的频率响应特性。
　　由于其小型化封装和出色的高频性能，B78302A8545A3 特别适合空间受限但对电气性能要求严苛的应用场景。例如，在5G毫米波前端模组或毫米波雷达传感器中，可用于GHz频段的信号调理与滤波。同时，因其符合工业级温度规格，也可应用于车载信息娱乐系统或高级驾驶辅助系统（ADAS）中的无线连接模块。总之，该电感器是现代高频电子系统中不可或缺的关键无源元件之一。