型号：B7645
　　极性：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　连续漏极电流（ID）：-400mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-800mA
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值55mΩ（VGS = -2.5V）；最大值85mΩ（VGS = -2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值-0.9V，最小值-0.6V，最大值-1.3V
　　输入电容（Ciss）：约110pF（VDS=10V, f=1MHz）
　　开启延迟时间（td(on)）：约10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约30ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（三引脚）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

B7645 P沟道MOSFET具备优异的电气性能与封装紧凑性，特别适用于需要高效能开关控制的小功率应用场景。其主要特性之一是低导通电阻，在VGS = -2.5V时，RDS(on)典型值仅为55mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。由于采用先进的沟槽技术制造，该器件在保持高性能的同时实现了小型化，有助于节省PCB布局空间。
　　另一个关键优势是其良好的栅极驱动兼容性。B7645可在低至-1.8V的栅源电压下有效导通，使其能够直接由常见的低压微控制器或逻辑IC驱动，无需额外的电平转换电路。这对于电池供电设备如智能手机、可穿戴设备和物联网终端尤为重要，因为这些系统通常依赖于节能设计和简化的外围电路。
　　该器件还表现出出色的开关速度，开启和关闭延迟时间分别约为10ns和30ns，支持快速响应负载变化，适用于动态电源管理场合。同时，其输入电容较低（约110pF），减少了驱动电路的负担，进一步提升了高频操作下的能效表现。
　　B7645具有可靠的热性能和长期稳定性，能够在-55°C到+150°C的宽结温范围内正常工作，适应严苛的工作环境。其SOT-23封装不仅便于自动化贴片生产，而且具备良好的散热能力，结合适当的PCB布局可实现有效的热量散发。此外，该产品符合RoHS指令，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对环保和安全性的严格要求。

B7645广泛应用于各类低电压、小电流的开关控制场景。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关和负载切换，例如在移动电话、平板电脑、智能手表等产品中用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或系统复位等功能。
　　在电池管理系统中，B7645可用于电池反接保护电路或充放电路径控制，利用其P沟道特性实现高边开关配置，避免因外部错误连接导致的设备损坏。此外，它也常被用作LED背光或指示灯的开关元件，凭借快速响应能力和低导通压降，确保亮度稳定且能耗最低。
　　在嵌入式系统和微控制器单元（MCU）周边电路中，B7645可作为GPIO扩展的驱动级，控制继电器、传感器或其他外设的上电时序。其逻辑电平兼容性使其非常适合与3.3V或更低电压的数字信号直接接口，简化设计流程。
　　工业和消费类电子设备中的信号切换、电源多路复用、热插拔保护电路也是B7645的典型应用领域。由于其封装小巧且性能稳定，该器件同样适用于空间敏感型模块如无线通信模块、传感器节点和便携医疗设备中。

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