B72650M750K72 时间：2025/12/27 12:01:55 阅读：17

B72650M750K72是EPCOS（现为TDK Electronics）生产的一款多层陶瓷压敏电阻（MLV，Multi-Layer Varistor），主要用于电子电路中的瞬态电压抑制和静电放电（ESD）保护。该器件属于爱普科斯SIOV（Surface-mount Integrated Overvoltage Protection）产品系列，专为在紧凑型表面贴装封装中提供高性能的过压保护而设计。B72650M750K72采用先进的陶瓷工艺制造，具备优异的响应速度、高能量吸收能力和长期稳定性，适用于各种对可靠性要求较高的消费类电子产品和工业设备。该压敏电阻通常用于保护敏感的半导体器件（如IC、晶体管、LED等）免受雷击感应、开关瞬变、静电放电和其他突发性电压浪涌的损害。其小型化设计（典型尺寸为1210，即3.2 mm x 2.5 mm）使其非常适合空间受限的应用场景，同时保持了良好的电气性能。此外，该器件符合RoHS指令和无卤素要求，满足现代绿色电子产品的环保标准。

参数

制造商：TDK Electronics (原EPCOS)
　　系列：SIOV B72650M
　　产品类型：多层压敏电阻（MLV）
　　工作电压：75 V DC
　　钳位电压（最大）：150 V（在1 A条件下）
　　峰值脉冲电流（8/20 μs）：200 A（单次冲击）
　　能量吸收能力（典型）：3 J（基于JEDEC方法）
　　电容值（典型）：120 pF（在1 kHz下测量）
　　温度系数：±0.05 %/K
　　工作温度范围：-40 °C 至 +125 °C
　　存储温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装尺寸：1210（3.2 mm × 2.5 mm）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2

特性

B72650M750K72具备卓越的瞬态电压抑制能力，能够在极短时间内响应高达200 A的瞬态浪涌电流（依据8/20 μs波形测试），有效防止因外部干扰或内部开关操作引起的电压尖峰对下游电路造成损伤。其核心材料采用高非线性陶瓷配方，使得在正常工作电压下具有极低的漏电流（通常小于1 μA），而在过压事件发生时迅速导通，将多余能量泄放到地，从而将电压钳制在安全范围内。这种快速响应机制（响应时间在纳秒级别）特别适合应对ESD事件（如IEC 61000-4-2标准中定义的±15 kV空气放电和接触放电）。
　　该器件的能量吸收能力高达3焦耳，远超同类小型SMD压敏电阻，能够在多次重复性浪涌冲击下保持性能稳定，延长系统寿命。其结构采用多层共烧技术，实现了高度集成与微型化，同时提升了热循环可靠性和机械强度。此外，B72650M750K72具有较低的寄生电感和电容（典型电容为120 pF），不会显著影响高速信号线路的完整性，因此可广泛应用于数据接口保护，如USB、HDMI、LAN端口等。
　　另一个关键优势是其宽泛的工作温度范围（-40°C至+125°C），确保在极端环境条件下仍能可靠运行，适用于工业控制、户外设备及汽车电子外围模块。该器件还通过了AEC-Q200认证，表明其具备车规级可靠性，可用于车载信息娱乐系统、传感器接口等场景。由于其无铅兼容设计和符合国际环保规范，B72650M750K72成为替代传统TVS二极管的理想选择，尤其在需要更高能量处理能力和更长使用寿命的应用中表现出色。

应用

B72650M750K72常用于各类需要高可靠性过压保护的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的接口保护，尤其是USB端口、音频插孔、SIM卡槽等易受人体静电影响的部位。此外，在工业自动化设备中，该器件可用于PLC输入输出模块、现场总线接口（如RS-485、CAN总线）的浪涌防护，提升系统在恶劣电磁环境下的稳定性。
　　在通信基础设施领域，B72650M750K72可部署于以太网端口（如10/100BASE-TX）、电话线路、DSL调制解调器等设备中，抵御雷电感应引起的瞬态过电压。其高能量吸收特性也使其适用于电源轨保护，尤其是在DC-DC转换器前端或电池供电系统中，防止因意外反接或负载突变导致的电压反冲。
　　在汽车电子方面，尽管主动力系统通常使用更大规格的保护器件，但B72650M750K72因其AEC-Q200认证，被广泛用于车身控制模块、车内照明驱动、车载导航系统和ADAS传感器供电线路的二级保护。此外，在智能家居设备（如智能门铃、摄像头、Wi-Fi路由器）中，该压敏电阻能够有效提升整机的EMC抗扰度等级，帮助产品通过CE、FCC等国际认证测试。