时间：2025/8/16 21:48:48
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B5817WT S4是一款由Infineon Technologies制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电子设备中，如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。该MOSFET以其高效率、低导通电阻和良好的热性能而闻名，适用于需要高性能功率开关的场合。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：6.1A
导通电阻(Rds(on))：28mΩ（最大）
功率耗散(Pd)：3.1W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：PG-TSDSO-8-4
B5817WT S4具备低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高电流处理能力和良好的热稳定性使其适合在高负载条件下工作。此外，该MOSFET采用了先进的封装技术，提供了优良的散热性能，确保在高功率应用中的可靠性。其栅极驱动电压范围宽，支持多种控制电路设计，增强了设计灵活性。在高频开关应用中，B5817WT S4表现出色，能够有效降低开关损耗，提高整体系统性能。
B5817WT S4常用于电源管理模块、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统以及各种工业自动化和控制系统。它也适用于需要高效能功率开关的消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理电路。
B5817W S4, B5817WR S4, B5817WS S4
