B57965 时间：2025/10/6 11:49:24 阅读：29

B57965是EPC（Efficient Power Conversion）公司推出的一款增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（eGaN FET），属于其高功率密度、高频开关应用产品线中的一员。该器件基于氮化镓半导体技术，采用先进的芯片级封装（Chip-Scale Package, CSP），具备极低的寄生电感和优异的热性能，适用于需要高效能、小体积电源转换的应用场景。与传统硅基MOSFET相比，B57965在开关速度、导通电阻和整体系统效率方面均有显著提升，特别适合用于高频DC-DC转换器、无线电源、激光驱动、射频包络跟踪以及轻量级电动交通工具电源系统等前沿领域。
　　B57965的设计目标是在保持高可靠性的同时实现极致的功率密度。它无需复杂的栅极驱动电路，兼容标准的CMOS逻辑电平驱动信号，降低了系统设计复杂度。此外，该器件具有良好的抗瞬态电压能力和热稳定性，在高温环境下仍能稳定运行。EPC公司在eGaN FET领域拥有多年研发经验和技术积累，B57965作为其代表性产品之一，广泛应用于对空间、效率和性能要求严苛的现代电力电子系统中。

参数

型号：B57965
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：20A
　　脉冲漏极电流（ID_pulse）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：13mΩ
　　阈值电压（Vth）：1.1V ~ 1.4V
　　输入电容（Ciss）：1300pF
　　输出电容（Coss）：370pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0C
　　栅极电荷（Qg）：4.5nC
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：LGA 8引脚
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

B57965的核心优势在于其采用的氮化镓材料和增强型结构设计，使其在高频高速开关应用中表现出远超传统硅MOSFET的性能。首先，该器件的导通电阻仅为13mΩ，配合高达20A的连续漏极电流能力，能够在低损耗状态下传输大电流，显著降低导通期间的能量损失。更重要的是，由于氮化镓材料具有更高的电子迁移率和临界电场强度，B57965能够支持数兆赫兹级别的开关频率，从而允许使用更小的磁性元件和电容，大幅缩小整个电源系统的体积与重量，满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。
　　其次，B57965采用无引线芯片级封装（LGA），极大减少了封装内部的寄生电感和电阻，提升了器件在快速dv/dt和di/dt条件下的稳定性，有效抑制了开关过程中的振铃现象和电磁干扰（EMI）。这种低寄生特性还使得器件在硬开关和软开关拓扑中都能保持出色的动态性能，尤其适用于LLC谐振转换器、有源钳位反激（ACF）和同步整流等先进拓扑结构。
　　再者，该器件为增强型（常关型）设计，即在栅极为零偏压时处于关断状态，符合工业安全规范，便于直接由标准逻辑电平（如3.3V或5V）驱动，无需额外的负压关断电路或复杂驱动器，简化了外围电路设计并提高了系统可靠性。同时，B57965具备极低的栅极电荷（Qg = 4.5nC）和几乎为零的反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这不仅降低了驱动损耗，也消除了体二极管反向恢复带来的开关损耗和电流尖峰问题，进一步提升整体转换效率，尤其是在高频率下效果更为明显。
　　此外，B57965经过严格的质量测试和可靠性验证，具备优良的热传导性能和长期工作稳定性。其最大工作结温可达+150°C，并支持在宽温度范围内稳定运行，适合部署于高温工业环境或密闭空间内的紧凑型电源模块中。综合来看，B57965凭借其高性能、高可靠性和易用性，已成为下一代高效电源系统中的关键器件之一。

应用

B57965广泛应用于各类需要高效率、高频率和高功率密度的电力电子系统中。典型应用场景包括：大功率DC-DC降压/升压转换器，特别是用于数据中心服务器电源、电信设备和工业自动化系统中的多相VRM（电压调节模块）；无线充电发射端电路，利用其高频开关能力提升能量传输效率并减小线圈尺寸；激光二极管驱动器和脉冲电源，得益于其快速开关响应和低延迟特性，可精确控制纳秒级电流脉冲；LED照明驱动，尤其是高端汽车照明和舞台灯光系统，要求高效恒流控制和紧凑设计；射频包络跟踪电源（Envelope Tracking Power Supplies），用于4G/5G基站功放供电，实现动态调制以提高射频效率；无人机和电动滑板车等轻型电动交通工具的电机驱动与电池管理系统；此外，还可用于便携式医疗设备、测试测量仪器以及航空航天领域的微型电源模块中。随着氮化镓技术的普及，B57965正逐步替代传统硅器件，成为高性能电源设计的首选方案之一。