型号：B5107
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装形式：TO-220F
　　漏源电压VDS：100 V
　　栅源电压VGS：±20 V
　　连续漏极电流ID：12 A
　　脉冲漏极电流IDM：48 A
　　导通电阻RDS(on)：0.08 Ω（典型值）
　　栅极阈值电压VGS(th)：2.0 V ~ 4.0 V
　　输入电容Ciss：930 pF
　　输出电容Coss：390 pF
　　反向恢复时间trr：35 ns
　　工作结温范围Tj：-55 °C ~ +150 °C
　　功耗PD：50 W

B5107具备出色的导通特性和开关速度，其低导通电阻RDS(on)仅为0.08Ω，显著降低了在大电流工作条件下的导通损耗，提升了系统的能量转换效率。该器件采用高性能硅材料与优化的沟槽结构设计，有效减小了器件内部的电阻和寄生电感，使得在高频开关应用中表现出更低的能量损耗和更稳定的动态响应。此外，B5107具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达12A，脉冲电流支持高达48A，能够满足瞬态负载变化的需求，适用于要求高可靠性的工业和消费类电子设备。
　　该MOSFET的栅极驱动特性良好，栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，兼容多种常见的逻辑电平驱动信号，便于与微控制器或专用驱动IC配合使用。其输入电容和输出电容分别为930pF和390pF，在保证快速开关的同时也避免了过高的驱动功率需求。反向恢复时间短至35ns，有助于减少体二极管反向恢复带来的开关尖峰和电磁干扰，提高系统EMI性能。TO-220F封装不仅提供了良好的散热路径，还具备较强的机械强度和绝缘性能，适合直接安装在散热片上使用，适用于中高功率应用场景。
　　在可靠性方面，B5107的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在严苛的环境温度下稳定运行。器件经过严格的质量测试，符合RoHS环保标准，并具备良好的抗浪涌能力和长期稳定性。此外，其较低的热阻特性使得在持续高负载条件下也能保持较低的温升，延长了器件寿命并提高了系统安全性。这些综合优势使B5107成为电源转换、电机驱动和负载开关等应用中的优选器件。

B5107广泛应用于各类中功率开关电源系统，如AC-DC适配器、DC-DC降压或升压转换器、同步整流电路等，能够有效提升电源效率并减小整体体积。在电池供电设备中，例如笔记本电脑、移动电源和便携式仪器仪表中，B5107作为主开关或负载开关元件，可实现高效的能量管理与低静态功耗运行。此外，它也被用于电机驱动电路，包括小型直流电机、步进电机和风扇控制模块中，提供快速响应和精确的电流控制能力。
　　在工业自动化领域，B5107可用于PLC输出模块、继电器替代方案和固态开关设计中，实现无触点控制，提高系统可靠性和使用寿命。由于其良好的热性能和电流处理能力，该器件还可用于LED照明驱动电源、太阳能充电控制器以及UPS不间断电源系统中。在汽车电子辅助系统中，尽管非车规级，但在部分车载外围设备或后装市场电源模块中也有应用。总之，B5107凭借其高效率、高可靠性和通用性，适用于多种需要高效功率切换的电子系统设计。

SIHF10N100D-S