B4P5-VH 时间：2025/12/27 15:51:01 阅读：6

B4P5-VH是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道功率MOSFET，专为高效率电源开关应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极工艺制造，具备低导通电阻和优异的开关特性，适用于多种电源管理场景。B4P5-VH封装形式为SOP-8（表面贴装），具有良好的热性能和空间利用率，适合在紧凑型电子设备中使用。该MOSFET通常用于负载开关、DC-DC转换器、电池供电设备以及便携式电子产品中的电源控制模块。由于其P沟道结构，在栅极施加负电压相对于源极时导通，因此在逻辑电平兼容的驱动条件下可实现高效的电源通断控制。B4P5-VH的设计注重可靠性与稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，满足工业级和消费类电子产品的严苛要求。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子产品制造。

参数

型号：B4P5-VH
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（V_DS）：-30V
　　最大栅源电压（V_GS）：±20V
　　连续漏极电流（I_D）：-5.0A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（I_DM）：-14A
　　导通电阻R_DS(on)：35mΩ（@V_GS=-10V, I_D=-5A）
　　导通电阻R_DS(on)：45mΩ（@V_GS=-4.5V, I_D=-4A）
　　阈值电压（V_GS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（C_iss）：1300pF（@V_DS=-15V）
　　输出电容（C_oss）：480pF（@V_DS=-15V）
　　反向传输电容（C_rss）：50pF（@V_DS=-15V）
　　总栅极电荷（Q_g）：13nC（@V_GS=-10V）
　　功耗（P_D）：1.5W（@T_a=25°C）
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

B4P5-VH采用了ROHM先进的沟槽栅极MOSFET技术，这种结构能够有效降低单位面积下的导通电阻，从而提升整体效率并减少发热。其P沟道特性使得在高端开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现负载的通断控制，简化了电源设计。该器件在V_GS=-10V时R_DS(on)仅为35mΩ，而在更低的驱动电压V_GS=-4.5V下也能保持45mΩ的低阻状态，表明其具备良好的低压驱动能力，适合与3.3V或5V逻辑信号直接接口，广泛应用于由微控制器控制的电源管理系统中。
　　该MOSFET具有出色的热稳定性，SOP-8封装不仅节省PCB空间，还通过外露焊盘增强散热性能，使器件在高负载条件下仍能维持可靠运行。输入、输出及反馈电容数值经过优化，平衡了开关速度与EMI干扰之间的关系，使其在高频开关应用中表现出色。此外，较低的栅极电荷（Q_g=13nC）意味着驱动损耗小，有助于提高系统整体能效，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。
　　B4P5-VH具备坚固的栅氧化层设计，能够承受±20V的栅源电压，提供一定的过压保护能力，增强了现场使用的鲁棒性。其阈值电压范围合理，避免了因噪声引起的误触发问题。器件支持快速开关操作，适用于DC-DC降压、同步整流、反向电流阻断等多种拓扑结构。同时，该产品通过AEC-Q101可靠性认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于汽车电子等对可靠性要求较高的领域。

应用

B4P5-VH常用于各类需要高效电源开关控制的电子系统中。典型应用场景包括便携式设备如智能手机、平板电脑中的电源路径管理与电池开关控制；在工业控制系统中作为继电器替代方案用于直流负载的软启动与断电保护；在通信设备中用于热插拔电路的浪涌电流抑制；也可用于笔记本电脑、显示器等设备的背光电源或辅助电源的通断控制。此外，该器件适用于各种DC-DC转换器架构，尤其是同步降压变换器中的上管开关，利用其P沟道特性实现简洁的驱动方式。在电池供电系统中，B4P5-VH可用于防止反向电流流动，提升系统安全性。其表面贴装封装也使其非常适合自动化生产流程，广泛应用于消费电子、工业自动化、网络设备及部分车载电子模块中。