时间：2025/12/27 17:01:32
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B4P-VH-B-R(LF)(SN) 是一款由 ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（P-Channel MOSFET）。该器件采用紧凑的 SS-MINI（VHSD）封装，适用于需要高密度布局和低功耗性能的便携式电子设备。B4P-VH-B-R(LF)(SN) 主要设计用于电池供电系统中的电源开关、负载切换以及 DC-DC 转换电路等应用场景。其低导通电阻（RDS(on)）特性可有效减少功率损耗，提高系统整体效率。该型号标注了 (LF) 和 (SN)，表明其为符合 RoHS 标准的无铅环保产品，并采用纯锡镀层以确保良好的焊接可靠性和兼容性，适合自动化表面贴装工艺。
这款 MOSFET 在小尺寸封装下实现了优异的电气性能，特别适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他对空间和能效有严格要求的消费类电子产品。器件具有较高的栅极-源极电压耐受能力，能够支持逻辑电平驱动，兼容 3.3V 或更低的控制信号，便于与现代微控制器或电源管理 IC 直接接口而无需额外电平转换电路。此外，其热稳定性良好，在正常工作条件下具备可靠的长期运行能力。
类型：P 沟道
漏源电压（VDS）：-20V
连续漏极电流（ID）：-5.1A
脉冲漏极电流（IDM）：-14A
导通电阻 RDS(on)：85mΩ（@ VGS = -4.5V）
导通电阻 RDS(on)：100mΩ（@ VGS = -2.5V）
栅源阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V
栅源电压（VGS）：±12V
功率耗散（PD）：1W（@ TA=25°C）
工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C ~ +150°C
封装形式：SS-MINI（VHSD）
B4P-VH-B-R(LF)(SN) 具备出色的低导通电阻特性，在 VGS = -4.5V 条件下，RDS(on) 典型值仅为 85mΩ，这使得在大电流通过时产生的导通损耗显著降低，从而提升系统能效并减少散热需求。这一特性尤其适用于电池供电设备中作为负载开关或反向电流阻断元件使用，有助于延长电池续航时间。同时，即使在较低的栅极驱动电压如 -2.5V 下，其 RDS(on) 仍能保持在 100mΩ 的较低水平，说明该器件具备良好的逻辑电平兼容性，能够直接由 3.3V 或 2.5V 的控制信号驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度并节省了外围元件成本。
该器件采用了 ROHM 专有的沟槽式 MOSFET 制造工艺，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积下的电流承载能力。这种结构不仅提高了性能密度，还增强了器件的热稳定性和可靠性。此外，B4P-VH-B-R(LF)(SN) 的栅极电荷（Qg）较低，意味着在开关应用中所需的驱动能量较小，有利于高频操作下的动态损耗控制，适用于需要快速开关响应的电源管理系统。
封装方面，SS-MINI（VHSD）是一种超小型表面贴装封装，尺寸仅为约 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm，非常适合高密度 PCB 布局。尽管体积小巧，但其引脚设计优化了散热性能，可通过 PCB 焊盘有效传导热量。该器件通过 AEC-Q101 认证的可能性较高（需查证具体批次），因此也可用于对可靠性要求较高的工业或汽车电子环境。最后，无铅（LF）和纯锡镀层（SN）的设计确保了环保合规性，并避免了传统焊料中铅带来的环境危害，同时也减少了“锡须”生长的风险，提升了长期使用的安全性与可靠性。
B4P-VH-B-R(LF)(SN) 广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理模块，例如智能手机和平板电脑中的电池供电切换、外设电源控制以及背光 LED 驱动电路。由于其低导通电阻和小封装特性，常被用作高端负载开关，用于开启或关闭不同的功能模块（如摄像头、Wi-Fi 模块、传感器等），实现按需供电以节约能耗。此外，该器件也适用于直流-直流（DC-DC）转换器中的同步整流部分，特别是在降压（Buck）拓扑中作为上管使用，能够有效降低转换过程中的能量损耗，提高转换效率。
在电池管理系统（BMS）中，该 MOSFET 可用于过流保护或充放电路径的通断控制，凭借其快速响应能力和稳定的电气特性，能够在异常情况下迅速切断电路，防止损坏后续负载。同时，它也被广泛集成于嵌入式系统主板上的多路电源域控制中，配合电源管理 IC 实现精细化的电压域上电时序管理。此外，在物联网（IoT）终端设备、智能手表、无线耳机等对空间和功耗极为敏感的应用中，B4P-VH-B-R(LF)(SN) 凭借其微型化封装和高效能表现成为理想的开关元件选择。工业手持设备、医疗监测仪器等对可靠性和稳定性要求较高的领域也是其典型应用方向之一。
BSS84LT1G
DMG2305UX
FDC630PZ
