型号：B4403
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：100 A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：400 A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.8 mΩ（@VGS=10 V, ID=50 A）
　　导通电阻（RDS(on)）：3.6 mΩ（@VGS=4.5 V, ID=50 A）
　　阈值电压（Vth）：2.0 V ~ 4.0 V
　　栅极电荷（Qg）：180 nC（@VGS=10 V）
　　输入电容（Ciss）：10000 pF（@VDS=25 V）
　　反向恢复时间（trr）：35 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220 / D2PAK

B4403 N沟道MOSFET的核心优势在于其卓越的导通性能与开关效率。其超低的导通电阻（RDS(on)）在高电流应用中显著降低了导通损耗，提升了电源系统的整体能效。例如，在大电流DC-DC降压变换器中，低RDS(on)意味着更小的I2R损耗，从而减少了发热并提高了转换效率。该特性特别适用于服务器电源、笔记本电脑适配器和电动工具等对能效和散热有严格要求的应用场景。
　　该器件采用了先进的Trench结构技术，这种结构通过优化沟道密度和电场分布，有效提升了单位面积的电流承载能力，并进一步降低RDS(on)。同时，Trench工艺还改善了器件的开关特性，使其具备更快的上升和下降时间，从而适应高频开关操作。在高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率下，B4403仍能保持稳定的性能表现，有助于缩小外围滤波元件的体积，实现电源系统的小型化设计。
　　另一个关键特性是其出色的热稳定性与高结温承受能力。B4403可在高达+175°C的结温下安全运行，这意味着即使在高温环境或高功率密度布局下，器件也能维持长期可靠工作。其封装设计具有较低的热阻（RθJC），有利于将内部产生的热量快速传导至散热器或PCB，避免局部过热导致的性能下降或失效。此外，器件内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr），可有效减少在同步整流或H桥电路中的反向恢复损耗，进一步提升系统效率。
　　从可靠性角度看，B4403经过严格的生产测试和质量管控，具备良好的抗浪涌能力和雪崩耐量，能够承受一定程度的电压尖峰和瞬态过载，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其栅氧化层设计也确保了在±20V栅源电压范围内的长期稳定性，防止因过压导致的绝缘击穿。综合来看，B4403凭借其高性能、高可靠性和广泛的适用性，成为现代高效率功率转换设计中的理想选择之一。

B4403广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS），尤其是在大电流输出的AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关或同步整流器使用。在这些应用中，其低导通电阻和高电流能力有助于实现高效率和紧凑设计，适用于台式机电源、工业电源模块和电信整流器等设备。
　　在电机驱动领域，B4403常用于直流电机、步进电机和BLDC（无刷直流电机）的H桥或半桥驱动电路中，作为功率开关元件控制电机的正反转和调速。其快速开关特性和高电流承受能力使得电机响应更加迅速，动态性能更优。此外，在电动汽车辅助系统、电动自行车控制器和家用电器（如洗衣机、空调风扇）中也有广泛应用。
　　该器件还适用于负载开关和热插拔电路，用于控制大功率负载的通断，防止浪涌电流损坏系统。在电池管理系统（BMS）中，B4403可用于充放电回路的通断控制，其低损耗特性有助于延长电池续航时间。此外，在太阳能逆变器、UPS不间断电源和LED驱动电源中，B4403同样发挥着重要作用，帮助提升能源转换效率和系统可靠性。
　　由于其良好的热性能和宽温度范围，B4403也适合在工业自动化、通信基站电源和汽车电子等恶劣环境下的应用。其标准化封装便于替换和维修，降低了系统设计和维护成本。总体而言，B4403是一款多功能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种高要求的电力电子应用场景。

NTD100N06L-D
　　FQP100N06L