型号：B4361
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：60V
　　连续漏极电流(ID)：75A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：260A
　　导通电阻(RDS(on))：0.018Ω @ VGS = 10V, ID = 37.5A
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷(Qg)：63nC @ 10V
　　输入电容(Ciss)：2400pF @ 25V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装/包装：TO-220AB
　　安装类型：通孔安装
　　功耗(Pd)：200W

B4361 N沟道MOSFET具备出色的电气性能和热管理能力，特别适用于高电流、高频开关应用。其核心优势之一是极低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为18毫欧姆，在大电流条件下显著降低了导通损耗，从而提升了整体系统的能效。这使得它在DC-DC转换器、同步整流器和电池管理系统中表现优异。该器件采用Vishay成熟的沟槽栅结构技术，优化了载流子迁移路径，增强了电流处理能力，同时保持了快速的开关响应时间。这意味着它可以有效减少开关过程中的过渡损耗，提高电源转换效率。
　　另一个重要特性是其高电流承载能力。B4361可在25°C环境下持续承受高达75A的漏极电流，并支持最高达260A的脉冲电流，使其能够应对瞬时负载突增或启动冲击电流的情况，非常适合用于电机驱动和电源保护电路中。此外，其栅极电荷（Qg）仅为63nC，较低的驱动需求意味着可以使用小型驱动IC或控制器直接驱动，无需复杂的缓冲电路，简化了外围设计并节省PCB空间。
　　该器件的工作结温范围可达-55°C至+175°C，展现出卓越的热稳定性和环境适应性，能够在极端温度条件下可靠运行。TO-220AB封装不仅提供了机械强度，还允许通过外接散热片实现高效热传导，确保长时间高负荷运行下的安全性。内置的体二极管也具有较强的反向恢复能力，适用于需要续流功能的拓扑结构如Buck、Boost和半桥电路。综合来看，B4361以其高性能参数、坚固的封装设计和广泛的工作范围，成为工业级功率电子设计中的理想选择。

B4361广泛应用于各类中高功率电子系统中，尤其适合需要高效能开关控制的场景。常见应用包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压与降压转换器、服务器和通信设备的电源模块、电池供电系统中的功率开关控制、电机驱动电路以及逆变器系统。其低导通电阻和高电流能力使其在电动汽车充电模块、太阳能微型逆变器和UPS不间断电源中也有广泛应用。此外，该器件还可用于过流保护电路、热插拔控制器和自动测试设备（ATE）中的功率切换单元。凭借其高可靠性与稳定性，B4361也被用于工业自动化控制系统、医疗电源设备以及照明镇流器等领域。其TO-220封装便于手工焊接与维护，因此在原型开发和中小批量生产中同样受到工程师青睐。