型号：B43255A5566M
　　电容值：56pF
　　容差：±0.5pF
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：C0G（NP0）
　　温度系数：0 ±30ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数量：2
　　最大厚度：1.25mm
　　端接类型：镍阻挡层，锡镀层
　　电容稳定性：Class I
　　绝缘电阻：≥100GΩ 或 R×C ≥ 5000Ω·F
　　耐湿性：IEC 60068-2-30（循环测试）
　　抗热冲击性：符合IEC 60068-2-69标准（六次回流焊兼容）

B43255A5566M采用C0G（即NP0）陶瓷介质材料，这使得它在所有陶瓷电容器中拥有最高的电容稳定性。C0G材质属于一类温度稳定型电介质，其电容值几乎不随温度、电压或时间的变化而发生漂移，因此特别适用于对精度要求极高的谐振电路、滤波器、定时电路以及射频匹配网络。该器件的电容变化在整个工作温度范围内不超过±30ppm/°C，且在额定电压下无直流偏压导致的容量下降现象，确保了信号通路的一致性和系统长期运行的可靠性。
　　该电容器具备优异的高频响应能力，由于其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），在数百MHz甚至GHz级别的射频应用中仍能保持接近理想的电容行为。这种低损耗特性使其成为去耦、旁路和高频滤波的理想选择，尤其适合用于高速数字电路的电源轨稳定或无线通信模块中的LC调谐回路。
　　B43255A5566M的小型化0805封装不仅节省PCB空间，还支持自动化贴片工艺，提高了生产效率和组装良率。同时，该器件经过严格的老化测试和环境应力筛选，具备出色的抗热冲击能力和耐焊接性能，能够承受多次无铅回流焊过程而不影响电气性能。此外，其双端子结构配合优化的内部电极设计，有效降低了寄生效应，增强了高频下的稳定性。
　　在可靠性方面，该MLCC通过了AEC-Q200认证的部分严苛测试条件，可用于部分汽车电子系统；同时符合IEC 60384-8/9等国际标准，确保在全球范围内的互换性和一致性。整体而言，B43255A5566M是一款高性能、高稳定性的固定陶瓷电容器，适用于需要长期精度保持和极端环境适应性的关键电路节点。

B43255A5566M因其卓越的温度稳定性和低损耗特性，广泛应用于高精度模拟电路和高频射频系统中。常见用途包括但不限于：RFID读写器、GPS接收模块、Wi-Fi和蓝牙射频前端匹配网络、手机天线调谐电路、基站功率放大器去耦、光纤通信设备中的时钟恢复电路以及测试测量仪器中的参考振荡器旁路。此外，在需要长期稳定运行的工业控制系统、医疗监测设备、航空航天传感器接口以及汽车信息娱乐系统的音频处理单元中，该电容器也发挥着重要作用。由于其不受直流偏压影响，常被用于ADC/DAC参考电压滤波路径中以保证转换精度。在电源管理领域，该器件可作为低压差稳压器（LDO）输入输出端的高频去耦元件，有效抑制噪声干扰，提升系统信噪比。其稳定的电气性能还使其适用于各种LC谐振电路、带通滤波器和陷波器设计，尤其是在必须维持中心频率不变的应用场景中。得益于小型化封装和表面贴装特性，B43255A5566M非常适合高密度PCB布局，满足现代电子产品向轻薄化、集成化发展的需求。

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　　GRM21BR71H560KA01D
　　CL21A560JBANNN