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B43252C5227M 发布时间 时间:2025/12/27 13:15:50 查看 阅读:11

B43252C5227M是TDK公司生产的一款多层陶瓷电容器(MLCC),属于其B系列高性能电容产品线。该器件主要用于需要高稳定性和高可靠性的电子电路中,特别是在电源去耦、滤波、旁路和信号耦合等应用场合表现优异。B43252C5227M的命名遵循了TDK的标准编码规则,其中包含了尺寸、介质类型、电容值和误差等级等信息。该电容器采用先进的陶瓷材料和制造工艺,确保在宽温度范围内具有良好的电性能稳定性,并具备较强的抗机械应力和热冲击能力。其小型化设计符合现代电子产品对高密度集成的需求,适用于各类消费类电子、工业控制设备以及通信模块中。
  这款电容器基于X7R或类似温度特性的电介质材料制成,能够在-55°C至+125°C的温度范围内工作,电容值变化不超过±15%。这种温度特性使其适用于大多数非精密但要求稳定工作的场景。B43252C5227M通常封装在0805(2012公制)尺寸的外壳中,便于自动化贴装,且与主流SMT生产工艺兼容。此外,该型号通过了AEC-Q200等可靠性认证,部分应用场景可满足汽车电子的严苛环境要求。
  由于其优良的高频响应特性和低等效串联电阻(ESR),B43252C5227M在开关电源输出端的滤波电路中能有效抑制纹波电压,提升系统稳定性。同时,在数字IC的电源引脚附近作为去耦电容使用时,能够快速响应瞬态电流需求,防止电压跌落导致逻辑错误。总体而言,B43252C5227M是一款综合性能优越、适用范围广泛的表面贴装陶瓷电容器,广泛受到硬件工程师青睐。

参数

型号:B43252C5227M
  制造商:TDK
  电容值:2200pF
  容差:±20%
  额定电压:50V
  温度特性:X7R(-55°C 至 +125°C,ΔC/C ≤ ±15%)
  封装尺寸:0805(2.0mm × 1.2mm)
  介质材料:陶瓷(Class II, X7R)
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  直流偏压特性:随电压增加电容值有所下降
  老化率:约2.5%每十年(典型值)
  安装方式:表面贴装(SMD)
  无铅/符合RoHS:是

特性

B43252C5227M所采用的X7R型陶瓷介质是一种二类电介质材料,具有较高的介电常数,能够在较小的物理尺寸下实现相对较大的电容值,这对于空间受限的高密度PCB布局至关重要。X7R材料的温度稳定性良好,在-55°C到+125°C的工作温度区间内,电容值的变化幅度控制在±15%以内,适合用于不需要极高精度但要求宽温工作的场合。这种材料的非线性特性意味着其电容值会随着施加的直流偏压升高而逐渐降低,因此在实际应用中需结合具体工作电压进行有效电容评估。例如,在接近额定电压50V时,实际可用电容可能仅为标称值的60%-70%,这一现象在电源滤波设计中必须予以考虑。
  该电容器具备较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),使其在中高频段仍能保持良好的阻抗特性,从而有效滤除噪声并提供稳定的局部电源支持。尤其是在数字系统中,当处理器或FPGA发生快速状态切换时,会产生瞬时大电流需求,此时靠近电源引脚布置的B43252C5227M可以迅速释放储存的能量,避免因供电延迟造成的电压波动。此外,其多层结构设计增强了机械强度,提高了抗弯曲和热循环的能力,降低了因PCB形变导致开裂的风险。
  B43252C5227M符合RoHS指令要求,不含铅及其他有害物质,适用于环保型电子产品制造。其0805封装形式是目前最常用的片式电容尺寸之一,兼容标准贴片机和回流焊工艺,有利于大规模自动化生产。虽然其容差为±20%,略低于C0G/NP0类电容的精度,但在去耦和一般滤波应用中完全可以接受。总体来看,该器件在成本、性能和可靠性之间取得了良好平衡,是工业级和消费类电子产品中的理想选择之一。

应用

B43252C5227M广泛应用于各类需要稳定电容性能和较高耐压能力的电子电路中。在电源管理系统中,它常被用作DC-DC转换器、LDO稳压器的输入和输出滤波电容,帮助平滑电压波动并减少开关噪声对后续电路的影响。由于其额定电压为50V,适合用于中低压电源轨(如12V、24V系统)的滤波环节。在工业控制设备中,该电容器可用于PLC模块、传感器接口和电机驱动电路中的去耦和旁路功能,提高系统的抗干扰能力和运行稳定性。
  在通信设备领域,B43252C5227M可用于以太网PHY芯片、RS-485收发器等高速信号线路的电源去耦,确保信号完整性不受电源噪声影响。其良好的高频响应特性也使其适用于射频前端电路中的偏置网络或耦合路径,尽管在关键射频匹配电路中更推荐使用C0G类电容。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居控制器中,该型号常出现在PMU(电源管理单元)周围,为各个功能模块提供局部储能和噪声抑制。
  此外,得益于其通过AEC-Q200认证的部分批次产品,B43252C5227M也可用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、车身控制模块和ADAS传感器供电电路中。在这些环境中,器件需要承受较大的温度变化和振动应力,而该电容的结构设计和材料选择能够有效应对这些挑战。总之,B43252C5227M凭借其可靠的性能和广泛的适用性,已成为众多电子设计中的标准元件之一。

替代型号

C2012X7R1H222M
  GRM21BR71H222KA01L
  CL21A222MJHNNNC
  ECJ-2VB1H222M
  KRM5Y-S71H222M

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B43252C5227M参数

  • 制造商EPCOS
  • 电容220 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值450 Volts
  • 工作温度范围- 25 C to + 105 C
  • 系列B43252
  • 加载寿命2000 hr
  • 封装Bulk
  • 纹波电流1.08 mAmps
  • 工厂包装数量80
  • 端接类型Snap In