B43252C5157M 时间：2025/12/27 13:23:37 阅读：10

B43252C5157M 是由 TDK 公司生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于 EPCOS 系列，具有高电容值、低等效串联电阻（ESR）和优异的高频特性，适用于多种高性能电子电路中的去耦、滤波和旁路应用。该电容器采用表面贴装技术（SMT），封装尺寸为 1812（4532 公制），适合在空间受限但需要高电容密度的应用中使用。B43252C5157M 的标称电容为 150μF，额定电压为 6.3V DC，具备良好的温度稳定性和长期可靠性。该元件广泛应用于移动通信设备、便携式电子产品、电源管理模块以及 DC-DC 转换器中。其结构采用镍/钯终端电极，并覆盖了锡镀层，确保了良好的焊接性能和抗环境应力能力。此外，该电容器符合 RoHS 指令要求，无铅且环保，适用于现代绿色电子产品制造流程。由于其高电容与小体积的结合，B43252C5157M 在替代传统钽电容方面表现出色，提供了更高的安全性和更低的失效率。

参数

电容：150μF
　　容差：±20%
　　额定电压：6.3V DC
　　温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，电容变化 ±15%）
　　封装尺寸：1812（4532 公制）
　　长度：4.5mm
　　宽度：3.2mm
　　高度：1.6mm
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 R*C ≥ 500Ω·F（取较大者）
　　最大纹波电流：依据频率和温升条件而定
　　ESR（等效串联电阻）：典型值低于 10mΩ（特定频率下）
　　介质材料：陶瓷（钡钛酸盐基）
　　端接类型：Ni/Pd/Au 三层电极（适合回流焊）
　　产品系列：EPCOS B43252
　　制造商：TDK Corporation

特性

B43252C5157M 具备出色的电容密度，在 1812 封装内实现了高达 150μF 的电容值，这得益于 TDK 先进的多层叠膜技术和高介电常数陶瓷材料的应用。这种设计显著缩小了传统大容量电容所需的 PCB 占用面积，使得它成为高集成度电路板的理想选择。
　　该电容器采用 X5R 温度特性陶瓷介质，确保在 -55°C 到 +85°C 的宽温度范围内保持电容值的稳定性，电容变化控制在 ±15% 以内，远优于一般 Y5V 材料。这一特性使其适用于对温度敏感的应用场景，如精密电源调节和射频前端模块。
　　其低等效串联电阻（ESR）特性有助于减少高频工作下的能量损耗和发热，提升电源系统的整体效率。尤其在开关频率较高的 DC-DC 转换器中，低 ESR 可有效抑制输出电压纹波，提高动态响应速度。
　　该器件具备良好的机械强度和抗热冲击能力，能够在多次回流焊过程中保持结构完整性。其 Ni/Pd/Au 端子设计不仅增强了焊接可靠性，还防止了因银迁移导致的短路风险，提高了长期使用的安全性。
　　B43252C5157M 符合 AEC-Q200 汽车级标准的部分要求，虽主要用于工业与消费类电子，但在某些车载信息娱乐系统中也有应用。此外，该电容无铅、无卤素，符合 RoHS 和 REACH 环保规范，支持现代绿色制造需求。

应用

该电容器广泛用于便携式电子设备中的电源去耦和储能应用，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。在这些设备中，多个 IC 需要稳定的电压供应，B43252C5157M 可作为主电源轨的滤波电容，有效平滑电压波动并吸收瞬态电流尖峰。
　　在 DC-DC 转换器电路中，该器件常被用作输出端的滤波元件，配合电感构成 LC 滤波网络，显著降低输出纹波电压。其低 ESR 特性特别适合高频开关电源（如同步降压变换器），有助于提高转换效率并减少散热需求。
　　在 FPGA、ASIC 和微处理器的电源管理系统中，B43252C5157M 可用于 VCC 去耦，提供快速响应的局部储能，满足芯片在高负载切换时的大电流需求，防止电压塌陷。
　　此外，该电容也适用于电池管理单元（BMU）、LED 驱动电路和无线充电模块中，作为储能和平滑元件。在工业控制和通信基础设施设备中，其高可靠性和温度稳定性保证了系统在恶劣环境下的持续运行。
　　由于其高电容与小型化优势，B43252C5157M 还可用于替代传统的铝电解电容或钽电容，在避免极性错误和降低火灾风险的同时，提升系统寿命和安全性。