电容: 56 pF
　　容差: ±0.1 pF
　　额定电压: 100 V
　　温度系数: C0G (NP0)
　　工作温度范围: -55°C ~ +125°C
　　封装/外壳: 0805（2012 公制）
　　介质材料: C0G (NP0)
　　直流偏压特性: 无明显容量下降
　　等效串联电阻 (ESR): 极低
　　绝缘电阻: ≥ 100 GΩ
　　时间常数: ≥ 10000 s

B43252A566M 具备卓越的电性能稳定性，其采用 C0G（也称为 NP0）介质材料，这是一种具有极佳温度稳定性的陶瓷材料。C0G 材料的温度系数为 0 ±30 ppm/°C，在整个工作温度范围 -55°C 至 +125°C 内，电容值几乎不随温度变化，保证了电路参数的高度一致性。这对于高精度振荡器、滤波器和定时电路至关重要，避免因温度波动导致频率漂移或信号失真。该电容器的电容值为 56 pF，容差高达 ±0.1 pF，属于超高精度等级，适用于对电容匹配要求极为严格的射频匹配网络和高频谐振电路。
　　该器件的额定电压为 100 V，能够在较高的直流偏置下稳定工作，且不会出现像 X7R 或 Y5V 类电容那样的显著容量衰减。这使得 B43252A5566M 在高压偏置但仍需保持精确电容值的场合中具有独特优势。其 0805 封装（2012 公制）在提供足够机械强度的同时，也便于自动化贴片生产，兼顾了性能与可制造性。低等效串联电阻（ESR）和极高的绝缘电阻（≥100 GΩ）使其在高频去耦和低噪声模拟电路中表现优异，能有效抑制高频噪声并减少能量损耗。
　　此外，该电容器具备优异的抗老化性能，电容值不会随时间推移而显著下降，确保长期运行的可靠性。其结构设计具有良好的耐湿性和抗热冲击能力，适合回流焊工艺，满足现代 SMT 生产线的需求。由于 C0G 材料本质上是非铁电性的，因此该电容器不受电压、频率和时间的影响，表现出线性、稳定的电容行为。这些特性使其成为医疗设备、测试仪器、航空航天电子和高端音频设备中不可或缺的元件。

B43252A5566M 多层陶瓷电容器广泛应用于对稳定性、精度和可靠性要求极高的电子系统中。在射频（RF）电路中，它常用于 LC 谐振电路、阻抗匹配网络和带通滤波器，其稳定的电容值确保无线通信模块（如 Wi-Fi、蓝牙、蜂窝模块）的频率响应一致性。在精密模拟电路中，该电容器用于有源滤波器、积分器和采样保持电路，防止温度变化引起的信号漂移。在高速数字系统中，它可作为高频去耦电容，安装在 IC 电源引脚附近，有效滤除高频噪声，保障电源完整性。
　　该器件也常见于振荡器电路，如与石英晶体或 SAW 器件配合使用的负载电容，其精确的容差和温度稳定性直接影响振荡频率的准确性，广泛应用于时钟生成单元、数据转换器（ADC/DAC）和微控制器系统。在汽车电子领域，B43252A5566M 可用于发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统（ADAS），满足 AEC-Q200 可靠性标准。工业控制系统、传感器信号调理电路和测量仪器同样依赖此类高稳定性电容来维持长期精度。此外，在医疗电子设备如心电图机、超声成像系统中，其低噪声和高可靠性确保了信号采集的准确性。